| Titre : |
Effet du taux dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à Jonction Verticale Série sous éclairement monochromatique (λ=0.58µm) en modulation de fréquence |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Malick Ndiaye, Auteur |
| Editeur : |
[Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique |
| Année de publication : |
2020 |
| Importance : |
44 P. |
| Format : |
30 cm |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagrammes de Bode diagramme de Nyquist taux de dopage Jonction Verticale Série éclairement monochromatique modulation de fréquence |
| Résumé : |
La base de la photopile au silicium à jonction verticale série(JVS) de dopage Nb,
est sous illumination monochromatique(=58m) en modulation de fréquence. La résolution
de l’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est établie. Les
conditions aux limites d’espace prenant en compte les vitesses de recombinaisons surfaciques
à la jonction et à la face avant ont permis de compléter la solution de l’équation de diffusion
des porteurs photogénérés.
L’équation est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D(Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de
modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue
d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite.
Pour une courte longueur d’onde(=0.58m), sa réponse capacitive à travers son amplitude et
de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de
circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de
dopage de la base. |
| Permalink : |
https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=90 |
Effet du taux dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à Jonction Verticale Série sous éclairement monochromatique (λ=0.58µm) en modulation de fréquence [texte imprimé] / Malick Ndiaye, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2020 . - 44 P. ; 30 cm. Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagrammes de Bode diagramme de Nyquist taux de dopage Jonction Verticale Série éclairement monochromatique modulation de fréquence |
| Résumé : |
La base de la photopile au silicium à jonction verticale série(JVS) de dopage Nb,
est sous illumination monochromatique(=58m) en modulation de fréquence. La résolution
de l’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est établie. Les
conditions aux limites d’espace prenant en compte les vitesses de recombinaisons surfaciques
à la jonction et à la face avant ont permis de compléter la solution de l’équation de diffusion
des porteurs photogénérés.
L’équation est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D(Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de
modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue
d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite.
Pour une courte longueur d’onde(=0.58m), sa réponse capacitive à travers son amplitude et
de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de
circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de
dopage de la base. |
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https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=90 |
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Effet du taux dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à Jonction Verticale Série sous éclairement monochromatique (λ=0.58µm) en modulation de fréquence (2020)
