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Auteur Malick Ndiaye
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Affiner la rechercheContribution à l'étude de la fraction active antidiabétique de icacina senegalensis juss (ICACINACEAE) / Malick Ndiaye (2004)
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MEM 2995 MEM 2995 Mémoires de master Master physique Physique Atomique et Nucléaire Disponible MEM 2996 MEM 2996 Mémoires de master Master physique Physique Atomique et Nucléaire Disponible MEM 2997 MEM 2997 Mémoires de master Master physique Physique Atomique et Nucléaire Disponible
Titre : Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile(n+/p/p+) au silicium à Jonctions verticales connectées en série sous éclairement monochromatique ( Type de document : texte imprimé Auteurs : Malick Ndiaye, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2023 Importance : 161 P. Format : 29 cm Note générale : Thèse provisoire Langues : Français (fre) Mots-clés : Photopile au Silicium Photopile Silicium Modulation de frequence Taux de dopage Coefficient d’absorption Vitesse de recombinaison Epaisseur optimum éclairement monochromatique photopile bifaciale électricité Energie Solaire énergie renouvelable Résumé : Différentes types de photopiles au silicium sont présentées (mono, bifaciale, multi-jonctions verticales (série et parallèle). L’éclairement mono ou polychromatique est utilisé en régime statique ou dynamique (transitoire ou fréquentiel). Les conditions intrinsèques (taux de dopage et géométrie) ou extérieures (champ magnétique, champ électrique, irradiation par des particules chargées) peuvent affectées le rendement de la photopile. Dans les conditions, d’éclairement monochromatique en modulation de frequence de la photopile au silicium, l’équation relative à la densité des porteurs de charge est présentée munie des conditions aux limites, représentant les vitesses de recombinaison à la jonction (Sf) et en face arrière (Sb). La densité de photocourant est obtenue en fonction de la vitesse de recombinaison, du coefficient d’absorption au silicium, de la frequence de modulation, du taux de dopage, de l’épaisseur de la base. Les expressions de la vitesse de recombinaison en face arrière (Sb), sont déduites et étudiées en fonction de l’épaisseur H, selon le taux de dopage et pour trois zones de frequences de modulation. L’épaisseur optimum Hopt est déduite des courbes obtenues, et modélisé en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation.
La phototension Vp(Sf) est obtenue par l’expression de Boltzmann. En prenant en compte Hopt, la caractéristique densité de courant-phototension (Jph(Sf)-Vph(Sf), sous obscurité et sous éclairement, sont produites en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation, ayant conduit à (Hopt).
Les courbes de calibration de la capacité de diffusion sont étudiées en fonction de (Sf), pour chaque épaisseur H et en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation. Le diagramme de Bode(amplitude et phase) et de Nyquist sont étudiés en fonction du taux de dopage.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1451 Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile(n+/p/p+) au silicium à Jonctions verticales connectées en série sous éclairement monochromatique ( [texte imprimé] / Malick Ndiaye, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2023 . - 161 P. ; 29 cm.
Thèse provisoire
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Photopile au Silicium Photopile Silicium Modulation de frequence Taux de dopage Coefficient d’absorption Vitesse de recombinaison Epaisseur optimum éclairement monochromatique photopile bifaciale électricité Energie Solaire énergie renouvelable Résumé : Différentes types de photopiles au silicium sont présentées (mono, bifaciale, multi-jonctions verticales (série et parallèle). L’éclairement mono ou polychromatique est utilisé en régime statique ou dynamique (transitoire ou fréquentiel). Les conditions intrinsèques (taux de dopage et géométrie) ou extérieures (champ magnétique, champ électrique, irradiation par des particules chargées) peuvent affectées le rendement de la photopile. Dans les conditions, d’éclairement monochromatique en modulation de frequence de la photopile au silicium, l’équation relative à la densité des porteurs de charge est présentée munie des conditions aux limites, représentant les vitesses de recombinaison à la jonction (Sf) et en face arrière (Sb). La densité de photocourant est obtenue en fonction de la vitesse de recombinaison, du coefficient d’absorption au silicium, de la frequence de modulation, du taux de dopage, de l’épaisseur de la base. Les expressions de la vitesse de recombinaison en face arrière (Sb), sont déduites et étudiées en fonction de l’épaisseur H, selon le taux de dopage et pour trois zones de frequences de modulation. L’épaisseur optimum Hopt est déduite des courbes obtenues, et modélisé en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation.
La phototension Vp(Sf) est obtenue par l’expression de Boltzmann. En prenant en compte Hopt, la caractéristique densité de courant-phototension (Jph(Sf)-Vph(Sf), sous obscurité et sous éclairement, sont produites en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation, ayant conduit à (Hopt).
Les courbes de calibration de la capacité de diffusion sont étudiées en fonction de (Sf), pour chaque épaisseur H et en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation. Le diagramme de Bode(amplitude et phase) et de Nyquist sont étudiés en fonction du taux de dopage.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1451 Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 450 450 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Exclu du prêt 
Titre : Effet du taux dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à Jonction Verticale Série sous éclairement monochromatique (λ=0.58µm) en modulation de fréquence Type de document : texte imprimé Auteurs : Malick Ndiaye, Auteur Editeur : [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : 2020 Importance : 44 P. Format : 30 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagrammes de Bode diagramme de Nyquist taux de dopage Jonction Verticale Série éclairement monochromatique modulation de fréquence Résumé : La base de la photopile au silicium à jonction verticale série(JVS) de dopage Nb,
est sous illumination monochromatique(=58m) en modulation de fréquence. La résolution
de l’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est établie. Les
conditions aux limites d’espace prenant en compte les vitesses de recombinaisons surfaciques
à la jonction et à la face avant ont permis de compléter la solution de l’équation de diffusion
des porteurs photogénérés.
L’équation est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D(Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de
modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue
d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite.
Pour une courte longueur d’onde(=0.58m), sa réponse capacitive à travers son amplitude et
de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de
circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de
dopage de la base.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=90 Effet du taux dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à Jonction Verticale Série sous éclairement monochromatique (λ=0.58µm) en modulation de fréquence [texte imprimé] / Malick Ndiaye, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2020 . - 44 P. ; 30 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagrammes de Bode diagramme de Nyquist taux de dopage Jonction Verticale Série éclairement monochromatique modulation de fréquence Résumé : La base de la photopile au silicium à jonction verticale série(JVS) de dopage Nb,
est sous illumination monochromatique(=58m) en modulation de fréquence. La résolution
de l’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est établie. Les
conditions aux limites d’espace prenant en compte les vitesses de recombinaisons surfaciques
à la jonction et à la face avant ont permis de compléter la solution de l’équation de diffusion
des porteurs photogénérés.
L’équation est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D(Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de
modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue
d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite.
Pour une courte longueur d’onde(=0.58m), sa réponse capacitive à travers son amplitude et
de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de
circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de
dopage de la base.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=90 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité mem 10195 mem 10195 Mémoires de master Master physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible Documents numériques
malick_ndiaye1_m2_ph.pdfAdobe Acrobat PDF
Titre : Etude des méthodes de protection des données biométriques préservant la vie privée basées sur les codes correcteurs d’erreurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Malick Ndiaye, Auteur Editeur : [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : 2019 Importance : 91 P. Format : 30 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : donnée biométrique vie privée codes correcteurs d’erreurs biométrie Résumé : En référence à la sécurité informatique, la biométrie concerne l’utilisation des caractéristiques biologiques, morphologiques ou comportementales pour déterminer ou vérifier l’identité d’une personne.
Bien que les systèmes de sécurité biométriques aient des avantages inhérents par rapport aux systèmes traditionnels d’authentification personnelle qui utilisent les mots de passe et les cartes ID, le problème d’assurer la sécurité et la confidentialité des données biométriques demeure critique. Depuis quelque temps la sécurité des systèmes biométriques constitue un sujet de controverse tant sur le plan social que juridique. Le recours à la biométrie présente des risques d’invasion de la vie privée des utilisateurs. En plus de cela s’ajoute le problème de l’irrévocabilité de l’authentifiant biométrique. En effet dans une situation frauduleuse de la donnée biométrique (vol, détournement, falsification ou contrefaçon), il est impossible pour un utilisateur de changer sa caractéristique biométrique (la donnée biométrique est unique) comme on le ferait avec un mot de passe ou un code PIN. Il devient donc important voir même crucial d’assurer la protection de la donnée biométrique.
Dès lors la sécurité des modèles biométriques est l’une des tâches les plus cruciales lors de la conception d’un système biométrique sécurisé. D’une part, en raison de la liaison forte entre le modèle d’un utilisateur et son identité et d’autre part, pour la nature irrévocable de ces modèles. Dans ce contexte, considérant la modalité empreinte digitale, nous proposons dans ce mémoire une nouvelle méthode combinant biohashing et fuzzy commitment pour sécuriser le stockage des modèles dans les bases de données biométriques. La méthode que nous proposons offre de nombreux avantages en termes de sécurité, de performance et de préservation de vie privée. Nous montrons au travers des résultats expérimentaux l’efficacité de la solution proposée même en cas d’attaque.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=98 Etude des méthodes de protection des données biométriques préservant la vie privée basées sur les codes correcteurs d’erreurs [texte imprimé] / Malick Ndiaye, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2019 . - 91 P. ; 30 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : donnée biométrique vie privée codes correcteurs d’erreurs biométrie Résumé : En référence à la sécurité informatique, la biométrie concerne l’utilisation des caractéristiques biologiques, morphologiques ou comportementales pour déterminer ou vérifier l’identité d’une personne.
Bien que les systèmes de sécurité biométriques aient des avantages inhérents par rapport aux systèmes traditionnels d’authentification personnelle qui utilisent les mots de passe et les cartes ID, le problème d’assurer la sécurité et la confidentialité des données biométriques demeure critique. Depuis quelque temps la sécurité des systèmes biométriques constitue un sujet de controverse tant sur le plan social que juridique. Le recours à la biométrie présente des risques d’invasion de la vie privée des utilisateurs. En plus de cela s’ajoute le problème de l’irrévocabilité de l’authentifiant biométrique. En effet dans une situation frauduleuse de la donnée biométrique (vol, détournement, falsification ou contrefaçon), il est impossible pour un utilisateur de changer sa caractéristique biométrique (la donnée biométrique est unique) comme on le ferait avec un mot de passe ou un code PIN. Il devient donc important voir même crucial d’assurer la protection de la donnée biométrique.
Dès lors la sécurité des modèles biométriques est l’une des tâches les plus cruciales lors de la conception d’un système biométrique sécurisé. D’une part, en raison de la liaison forte entre le modèle d’un utilisateur et son identité et d’autre part, pour la nature irrévocable de ces modèles. Dans ce contexte, considérant la modalité empreinte digitale, nous proposons dans ce mémoire une nouvelle méthode combinant biohashing et fuzzy commitment pour sécuriser le stockage des modèles dans les bases de données biométriques. La méthode que nous proposons offre de nombreux avantages en termes de sécurité, de performance et de préservation de vie privée. Nous montrons au travers des résultats expérimentaux l’efficacité de la solution proposée même en cas d’attaque.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=98 Réservation
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Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MEM 10130 MEM 10130 Mémoires de master Master physique Electronique, systèmes et télécommunication Disponible Documents numériques
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