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(2021)

| Titre : |
CARACTERISATION DES MATERIAUX PAR LA SPECTROMETRIE PHOTO ELECTRONIQUE X(XPS), LA MICROSCOPIE A EFFET TUNNEL LA SPECTROSCOPIE RAMAN ET LA DIFFRACTION DES ELECTRONS LENTS |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Maimouna Sy, Auteur |
| Editeur : |
[Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique |
| Année de publication : |
2021 |
| Importance : |
41 P. |
| Format : |
29 cm |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
XPS STM LEED ZnO spectroscopie photoélectrique microscopie a effet tunnel spectroscopie Raman diffraction des électrons diffraction électron surface oxyde de zinc photovoltaïque |
| Résumé : |
Dans ce travail nous avons utilisé les techniques de caractérisation suivantes : la spectroscopie photoélectrique XPS, la microscopie a effet tunnel(STM), la spectroscopie Raman et la diffraction des électrons lents (LEED). Toutes ces techniques nécessitent une enceinte à ultravide (10-6 à 10-8 Pa). D'une part, cela réduit le risque de modifier la surface pendant l'analyse. Il est difficile de faire une comparaison d‟une façon rigoureuse entre elles. Ces méthodes permettent de mettre en évidence l‟état propre de la surface. Nous avons choisi comme matériaux d‟étude l‟oxyde de zinc ZnO .Ce matériau est intéressant pour des applications dans plusieurs domaines, comme dans le domaine électronique, optoélectronique et photovoltaïque. La caractérisation du ZnO par la spectroscopie photoélectrique XPS nous montre que l‟énergie des électrons Auger est indépendante à l‟énergie d‟excitation malgré la variation de la source d‟excitation. La caractérisation par la microscopie a effet tunnel STM nous renseigne pour bénéficier d‟un effet tunnel il faut que la barrière soit fine (inferieur a 3nm). |
| Permalink : |
https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=728 |
CARACTERISATION DES MATERIAUX PAR LA SPECTROMETRIE PHOTO ELECTRONIQUE X(XPS), LA MICROSCOPIE A EFFET TUNNEL LA SPECTROSCOPIE RAMAN ET LA DIFFRACTION DES ELECTRONS LENTS [texte imprimé] / Maimouna Sy, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2021 . - 41 P. ; 29 cm. Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
XPS STM LEED ZnO spectroscopie photoélectrique microscopie a effet tunnel spectroscopie Raman diffraction des électrons diffraction électron surface oxyde de zinc photovoltaïque |
| Résumé : |
Dans ce travail nous avons utilisé les techniques de caractérisation suivantes : la spectroscopie photoélectrique XPS, la microscopie a effet tunnel(STM), la spectroscopie Raman et la diffraction des électrons lents (LEED). Toutes ces techniques nécessitent une enceinte à ultravide (10-6 à 10-8 Pa). D'une part, cela réduit le risque de modifier la surface pendant l'analyse. Il est difficile de faire une comparaison d‟une façon rigoureuse entre elles. Ces méthodes permettent de mettre en évidence l‟état propre de la surface. Nous avons choisi comme matériaux d‟étude l‟oxyde de zinc ZnO .Ce matériau est intéressant pour des applications dans plusieurs domaines, comme dans le domaine électronique, optoélectronique et photovoltaïque. La caractérisation du ZnO par la spectroscopie photoélectrique XPS nous montre que l‟énergie des électrons Auger est indépendante à l‟énergie d‟excitation malgré la variation de la source d‟excitation. La caractérisation par la microscopie a effet tunnel STM nous renseigne pour bénéficier d‟un effet tunnel il faut que la barrière soit fine (inferieur a 3nm). |
| Permalink : |
https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=728 |
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