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Physique de la matière condensée
Affiner la rechercheContribution à la réduction des charges de production frigorifique par le froid par absorption et la réduction des apports solaires dans les locaux / Yézouma COULIBALY ([2002])
Titre : Contribution à la réduction des charges de production frigorifique par le froid par absorption et la réduction des apports solaires dans les locaux Type de document : texte imprimé Auteurs : Yézouma COULIBALY, Auteur Editeur : [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : [2002] Importance : 98 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Local climatisé Eclairement solaire Charge frigorifique Confort thermique Matériau de toiture Toiture Température d'équilibre au soleil Production de froid Froid Réfrigération Adsorption Sorption Charbon actif méthanol Modèle numérique Méthode explicite Equation d'état d'adsorption Climatisation Résumé : Ce document traite du froid et de la climatisation en deux points. Le calcul des
composantes de l’éclairement solaire pour la détermination des charges frigorifiques des
locaux climatisés. Le rayonnement est obtenu sous forme de composantes directes diffuses et
réfléchies sur différents plans allant du vertical à l’horizontal. Les résultats sont appliqués au
calcul des températures d' équilibre de matériaux de toiture. Tous les calculs proposés sont
validés par des résultats expérimentaux.
La modélisation d'un générateur à adsorption charbon actif méthanol pour la
production de froid par sorption. Un modèle numérique utilisant l’équation d'état
d'adsorption de Dubinin et Radushkévich est proposé. Il permet de déterminer les
températures pressions et masse d ·alcool adsorbées dans le générateur au cours du cycle. Le
modèle détaillé est modifié en fin de compte pour mieux coller avec l’allure globale des
résultats expérimentaux en prenant en compte une conductivité globale apparente au sein du
système. Les résultats expérimentaux sont obtenus à partir d'un générateur charbon actif
méthanol mis au point au LEMT A de Nancy où les mesures ont été faites
Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2873 Contribution à la réduction des charges de production frigorifique par le froid par absorption et la réduction des apports solaires dans les locaux [texte imprimé] / Yézouma COULIBALY, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, [2002] . - 98 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Local climatisé Eclairement solaire Charge frigorifique Confort thermique Matériau de toiture Toiture Température d'équilibre au soleil Production de froid Froid Réfrigération Adsorption Sorption Charbon actif méthanol Modèle numérique Méthode explicite Equation d'état d'adsorption Climatisation Résumé : Ce document traite du froid et de la climatisation en deux points. Le calcul des
composantes de l’éclairement solaire pour la détermination des charges frigorifiques des
locaux climatisés. Le rayonnement est obtenu sous forme de composantes directes diffuses et
réfléchies sur différents plans allant du vertical à l’horizontal. Les résultats sont appliqués au
calcul des températures d' équilibre de matériaux de toiture. Tous les calculs proposés sont
validés par des résultats expérimentaux.
La modélisation d'un générateur à adsorption charbon actif méthanol pour la
production de froid par sorption. Un modèle numérique utilisant l’équation d'état
d'adsorption de Dubinin et Radushkévich est proposé. Il permet de déterminer les
températures pressions et masse d ·alcool adsorbées dans le générateur au cours du cycle. Le
modèle détaillé est modifié en fin de compte pour mieux coller avec l’allure globale des
résultats expérimentaux en prenant en compte une conductivité globale apparente au sein du
système. Les résultats expérimentaux sont obtenus à partir d'un générateur charbon actif
méthanol mis au point au LEMT A de Nancy où les mesures ont été faites
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 833 TH 833 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible TH 834 TH 834 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible TH 835 TH 835 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible 
Titre : Croissance et caractérisation des couches minces d'oxyde de zinc pour des applications en optoélectronique. Type de document : texte imprimé Auteurs : Mouhamed Bachir Gaye, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2017 Importance : 80 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Photoluminescence réflectivité saphir puit quantique ZnO exciton oxyde de zinc optoélectronique Résumé : Ce mémoire décrit un travail théorique et expérimental réalisé sur l’oxyde de Zinc (ZnO). Dans
la partie théorique du travail, les propriétés physicochimiques du semi-conducteur ZnO massif,
les principales techniques de croissance et de caractérisation des couches minces de ZnO et
d’hétérostructures à base de ZnO, ont été revues. Elle a permis d’établir le lien entre les
propriétés du ZnO et l’intérêt suscité par ses applications potentielles en optoélectronique. Cet
intérêt est justifié par la grande énergie de liaison des excitons et la large bande d’énergie
interdite du ZnO pouvant conduire à des dispositifs lasers à température ambiante et avec des
seuils d’émission assez bas.
La partie expérimentale porte sur la croissance et la caractérisation de couches minces ZnO et
ses hétérostructures associées et leur caractérisation structurale et optiques. La technique mise
en oeuvre est l’Epitaxie sous Jets Moléculaires(EJM) assistée par plasma. Elle offre la possibilité
de mesures en temps réel des paramètres de croissance, permet la détermination de la
composition des gaz résiduels et surtout l’analyse de
l’évolution dimensionnelle et cristalline de la couche lors de la croissance grâce la diffraction
d’électrons de haute énergie sous incidence rasante RHEED.
Ainsi, la croissance des couches de ZnO a été effectuée, soit sur du substrat saphir orienté
(1000) (plan c) soit sur du saphir plan R (0112), après avoir identifié et optimisé les paramètres
de croissance tels que le substrat et la température. Elle a conduit respectivement à la réalisation
de plusieurs couches de ZnO orienté plan c et plan A.
Les caractérisations optiques ont été menées au moyen des techniques de photoluminescences
et de réflectivité. L’analyse des résultats a montré que les émissions excitoniques sont fortement
polarisées dans les couches de ZnO orienté plan A.
Les caractérisations structurales ont montré une bonne cristallinité des couches de ZnO
obtenues dans les conditions optimales de croissance correspondent à des températures
moyennes comprises entre 500 et 550°C.
Les propriétés optiques étudiées en relation avec les propriétés structurales, ont permis de
montrer qu’il n’y a pas eu de séparation des phases et que la raie d’émission associée au défaut
observé en PL est due à la recombinaison sur les défauts d’empilement dans le plan basal.
L’absence d’anisotropie structurale a été exploitée pour la réalisation des structures à puits
quantiques ZnMgO/ZnO dont les propriétés optoélectroniques ont été étudiées. L’analyse des
résultats expérimentaux a montré qu’un aspect fondamental pour la croissance de puits
quantiques quel que soit son orientation est la rugosité de surface puisqu’elle favorise la
séparation des phases qui est une forte tendance dans les alliages comme ZnMgO.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=330 Croissance et caractérisation des couches minces d'oxyde de zinc pour des applications en optoélectronique. [texte imprimé] / Mouhamed Bachir Gaye, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2017 . - 80 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Photoluminescence réflectivité saphir puit quantique ZnO exciton oxyde de zinc optoélectronique Résumé : Ce mémoire décrit un travail théorique et expérimental réalisé sur l’oxyde de Zinc (ZnO). Dans
la partie théorique du travail, les propriétés physicochimiques du semi-conducteur ZnO massif,
les principales techniques de croissance et de caractérisation des couches minces de ZnO et
d’hétérostructures à base de ZnO, ont été revues. Elle a permis d’établir le lien entre les
propriétés du ZnO et l’intérêt suscité par ses applications potentielles en optoélectronique. Cet
intérêt est justifié par la grande énergie de liaison des excitons et la large bande d’énergie
interdite du ZnO pouvant conduire à des dispositifs lasers à température ambiante et avec des
seuils d’émission assez bas.
La partie expérimentale porte sur la croissance et la caractérisation de couches minces ZnO et
ses hétérostructures associées et leur caractérisation structurale et optiques. La technique mise
en oeuvre est l’Epitaxie sous Jets Moléculaires(EJM) assistée par plasma. Elle offre la possibilité
de mesures en temps réel des paramètres de croissance, permet la détermination de la
composition des gaz résiduels et surtout l’analyse de
l’évolution dimensionnelle et cristalline de la couche lors de la croissance grâce la diffraction
d’électrons de haute énergie sous incidence rasante RHEED.
Ainsi, la croissance des couches de ZnO a été effectuée, soit sur du substrat saphir orienté
(1000) (plan c) soit sur du saphir plan R (0112), après avoir identifié et optimisé les paramètres
de croissance tels que le substrat et la température. Elle a conduit respectivement à la réalisation
de plusieurs couches de ZnO orienté plan c et plan A.
Les caractérisations optiques ont été menées au moyen des techniques de photoluminescences
et de réflectivité. L’analyse des résultats a montré que les émissions excitoniques sont fortement
polarisées dans les couches de ZnO orienté plan A.
Les caractérisations structurales ont montré une bonne cristallinité des couches de ZnO
obtenues dans les conditions optimales de croissance correspondent à des températures
moyennes comprises entre 500 et 550°C.
Les propriétés optiques étudiées en relation avec les propriétés structurales, ont permis de
montrer qu’il n’y a pas eu de séparation des phases et que la raie d’émission associée au défaut
observé en PL est due à la recombinaison sur les défauts d’empilement dans le plan basal.
L’absence d’anisotropie structurale a été exploitée pour la réalisation des structures à puits
quantiques ZnMgO/ZnO dont les propriétés optoélectroniques ont été étudiées. L’analyse des
résultats expérimentaux a montré qu’un aspect fondamental pour la croissance de puits
quantiques quel que soit son orientation est la rugosité de surface puisqu’elle favorise la
séparation des phases qui est une forte tendance dans les alliages comme ZnMgO.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=330 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 2267 TH 2267 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible Documents numériques
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Titre : Dépôt et caractérisation de couches minces de mélange interpénétré organique de P3HT:PCBM et de pérovskite hybride organique-inorganique de CH3NH3PbI3 pour la réalisation et la modélisation de systèmes photovoltaïques Type de document : texte imprimé Auteurs : Allé Dioum, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2022 Importance : non paginé Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : mélange interpénétré pérovskite hybride pérovskite hybride système photovoltaïque photovoltaïque énergie solaire couche mince mélange interpénétré organique P3HT:PCBM pérovskite hybride organique-inorganique CH3NH3PbI3 polymère électron fullerène méthylammonium de triiodure de plomb Résumé : Ce travail s’intéresse au dépôt et à la caractérisation de couches minces de deux types de matériaux : le premier matériau est organique composé d’un mélange interpénétré constitué d’un polymère donneur d’électrons, le poly (3-hexyl) 2,5-thiofène) (P3HT) et d’un dérivé du fullerène l’acide 6,6-phényl méthyl ester (PCBM), accepteur d’électrons (P3HT:PCBM) ; le second matériau est la pérovskite hybride organique-inorganique de méthylammonium de triiodure de plomb (CH3NH3PbI3), pour la réalisation de systèmes photovoltaïques. Il est composé de quatre principaux chapitres. Le premier chapitre présente une revue bibliographique sur les cellules solaires et passe en revue l’état de l’art des cellules photovoltaïques organiques et à pérovskite hybride. Les trois autres chapitres sont axés suivant deux volets expérimental et théorique. Les chapitres deux et trois, consacrés au volet expérimental, présentent toute la procédure de fabrication des cellules photovoltaïques organique et à pérovskite. Cette procédure implique le choix des précurseurs ; la synthèse des matériaux absorbeurs de P3HT:PCBM et CH3NH3PbI3 , le dépôt et la caractérisation des couches actives; le dépôt d’éventuelles couches tampon (de transport des électrons et trous) et la métallisation (contacts métalliques). Cette partie a permis de comprendre les meilleures conditions d’obtention de cellules plus performantes.
Le deuxième volet dédié au chapitre quatre présente et décrit le modèle théorique développé pour la modélisation des cellules. Il a permis de mettre en évidence l’influence des paramètres physiques affectant directement leurs performances. Ce modèle est basé sur des calculs analytiques et le développement d’un code numérique implémenté par des logiciels commerciaux.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=879 Dépôt et caractérisation de couches minces de mélange interpénétré organique de P3HT:PCBM et de pérovskite hybride organique-inorganique de CH3NH3PbI3 pour la réalisation et la modélisation de systèmes photovoltaïques [texte imprimé] / Allé Dioum, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2022 . - non paginé ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : mélange interpénétré pérovskite hybride pérovskite hybride système photovoltaïque photovoltaïque énergie solaire couche mince mélange interpénétré organique P3HT:PCBM pérovskite hybride organique-inorganique CH3NH3PbI3 polymère électron fullerène méthylammonium de triiodure de plomb Résumé : Ce travail s’intéresse au dépôt et à la caractérisation de couches minces de deux types de matériaux : le premier matériau est organique composé d’un mélange interpénétré constitué d’un polymère donneur d’électrons, le poly (3-hexyl) 2,5-thiofène) (P3HT) et d’un dérivé du fullerène l’acide 6,6-phényl méthyl ester (PCBM), accepteur d’électrons (P3HT:PCBM) ; le second matériau est la pérovskite hybride organique-inorganique de méthylammonium de triiodure de plomb (CH3NH3PbI3), pour la réalisation de systèmes photovoltaïques. Il est composé de quatre principaux chapitres. Le premier chapitre présente une revue bibliographique sur les cellules solaires et passe en revue l’état de l’art des cellules photovoltaïques organiques et à pérovskite hybride. Les trois autres chapitres sont axés suivant deux volets expérimental et théorique. Les chapitres deux et trois, consacrés au volet expérimental, présentent toute la procédure de fabrication des cellules photovoltaïques organique et à pérovskite. Cette procédure implique le choix des précurseurs ; la synthèse des matériaux absorbeurs de P3HT:PCBM et CH3NH3PbI3 , le dépôt et la caractérisation des couches actives; le dépôt d’éventuelles couches tampon (de transport des électrons et trous) et la métallisation (contacts métalliques). Cette partie a permis de comprendre les meilleures conditions d’obtention de cellules plus performantes.
Le deuxième volet dédié au chapitre quatre présente et décrit le modèle théorique développé pour la modélisation des cellules. Il a permis de mettre en évidence l’influence des paramètres physiques affectant directement leurs performances. Ce modèle est basé sur des calculs analytiques et le développement d’un code numérique implémenté par des logiciels commerciaux.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=879 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 354 354 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible 
Titre : ETUDE DE L’ISOLATION THERMIQUE D’UNE PAROI D’UNE CHAMBRE FROIDE STATIQUE PAR TYPHA-PLATRE POUR LA CONSERVATION DE FRUITS TROPICAUX. Type de document : texte imprimé Auteurs : souleymane senghor, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2024 Importance : 111 P. Format : 29 cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : Conservation des fruits Chambre froide Typha-plâtre Pulsation excitatrice Périodicité Isolation thermique Impédance Capacité Résistance Conservation Fruit Efficacité énergétique Technique de construction Résumé : Une chambre froide dont les parois sont constituées de mur composite formé de deux couches : l’une extérieure de brique en béton et l’autre intérieure un isolant local typha-plâtre, est soumise à des contraintes climatiques extérieures évoluant en régime dynamique fréquentiel. Notre étude porte sur le comportement thermique de ce mur à base de Typha (matériau d'isolation thermique local) tout en maintenant le milieu intérieur à une température plus basse. L’objectif principal de notre étude est de contribuer à l’amélioration de l'efficacité énergétique dans les techniques de construction pour l’isolation thermique.
Par le moyen de la pulsation excitatrice ꞷ, les périodes de sollicitations climatiques extérieures pour lesquelles l’isolation thermique est efficace pour ce système de mur composite Béton-Typha plâtre, seront déterminées.
D’abord, après l’étude bibliographique, nous avons rappelé des techniques de détermination de paramètres thermo physiques proposées par différents auteurs en régimes dynamiques fréquentiel ou transitoire, afin de déterminer des grandeurs thermiques caractéristiques du matériau typha-plâtre. Nous avons également abordé la méthode de résolution mathématique de l’équation de chaleur tout en tenant compte des conditions aux limites imposées.
Ensuite, l’étude de la température sous l’influence des paramètres thermiques nous a permis de montrer que notre matériau bio-sourcé, le typha, accolé au mur en béton donne une bonne isolation thermique et un bon séjour des fruits.
Enfin, l’analogie des grandeurs thermique-électrique étudiée, nous a permis de faire une étude sur les grandeurs électriques équivalentes qui sont l’impédance, la capacité à fin de déterminer les résistances série Rs, shunt Rsh, parallèle Rp et thermique Rth.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2023 ETUDE DE L’ISOLATION THERMIQUE D’UNE PAROI D’UNE CHAMBRE FROIDE STATIQUE PAR TYPHA-PLATRE POUR LA CONSERVATION DE FRUITS TROPICAUX. [texte imprimé] / souleymane senghor, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2024 . - 111 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Conservation des fruits Chambre froide Typha-plâtre Pulsation excitatrice Périodicité Isolation thermique Impédance Capacité Résistance Conservation Fruit Efficacité énergétique Technique de construction Résumé : Une chambre froide dont les parois sont constituées de mur composite formé de deux couches : l’une extérieure de brique en béton et l’autre intérieure un isolant local typha-plâtre, est soumise à des contraintes climatiques extérieures évoluant en régime dynamique fréquentiel. Notre étude porte sur le comportement thermique de ce mur à base de Typha (matériau d'isolation thermique local) tout en maintenant le milieu intérieur à une température plus basse. L’objectif principal de notre étude est de contribuer à l’amélioration de l'efficacité énergétique dans les techniques de construction pour l’isolation thermique.
Par le moyen de la pulsation excitatrice ꞷ, les périodes de sollicitations climatiques extérieures pour lesquelles l’isolation thermique est efficace pour ce système de mur composite Béton-Typha plâtre, seront déterminées.
D’abord, après l’étude bibliographique, nous avons rappelé des techniques de détermination de paramètres thermo physiques proposées par différents auteurs en régimes dynamiques fréquentiel ou transitoire, afin de déterminer des grandeurs thermiques caractéristiques du matériau typha-plâtre. Nous avons également abordé la méthode de résolution mathématique de l’équation de chaleur tout en tenant compte des conditions aux limites imposées.
Ensuite, l’étude de la température sous l’influence des paramètres thermiques nous a permis de montrer que notre matériau bio-sourcé, le typha, accolé au mur en béton donne une bonne isolation thermique et un bon séjour des fruits.
Enfin, l’analogie des grandeurs thermique-électrique étudiée, nous a permis de faire une étude sur les grandeurs électriques équivalentes qui sont l’impédance, la capacité à fin de déterminer les résistances série Rs, shunt Rsh, parallèle Rp et thermique Rth.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2023 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 2590 TH 2590 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible Documents numériques
TH 2590Adobe Acrobat PDF
Titre : Etude par microscopie Electronique à balayage et spectroscopie de diffusion Raman de matériaux semiconducteurs poreux obtenus par oxydation anodique Type de document : texte imprimé Auteurs : Sossé NDIAYE, Auteur Editeur : [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : 2000 Importance : 82 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : MICROSCOPIE ELECTRONIQUE MICROSCOPIE A BALAYAGE SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION RAMAN SEMI-CONDUCTEUR OXIDATION ANODIQUE Silicium Silicium poreux Phosphure de gallium Matériau poreux Semi conducteur Résumé : La caractérisation structurale d'échantillons de matériaux poreux
(Si et de GaP) obtenus par oxydation anodique, est effectuée par
microscopie électronique et spectroscopie de diffusion Raman. un
mécanisme réactionnel est proposé pour l'oxydation anodique. un
calcul basé sur les effets quantiques conduit à des résultats
conformes au comportement optique du Si poreux.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2413 Etude par microscopie Electronique à balayage et spectroscopie de diffusion Raman de matériaux semiconducteurs poreux obtenus par oxydation anodique [texte imprimé] / Sossé NDIAYE, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2000 . - 82 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : MICROSCOPIE ELECTRONIQUE MICROSCOPIE A BALAYAGE SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION RAMAN SEMI-CONDUCTEUR OXIDATION ANODIQUE Silicium Silicium poreux Phosphure de gallium Matériau poreux Semi conducteur Résumé : La caractérisation structurale d'échantillons de matériaux poreux
(Si et de GaP) obtenus par oxydation anodique, est effectuée par
microscopie électronique et spectroscopie de diffusion Raman. un
mécanisme réactionnel est proposé pour l'oxydation anodique. un
calcul basé sur les effets quantiques conduit à des résultats
conformes au comportement optique du Si poreux.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2413 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 674 TH 674 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible TH 675 TH 675 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible TH 676 TH 676 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible
Titre : Étude de la supraconductivité et du magnétisme du réseau triangulaire par la méthode des amas quantiques Type de document : texte imprimé Auteurs : Oumar Ndiaye, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2023 Importance : 96 P. Format : 29 cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : magnétisme Diagramme de phase Magnétisme spiral Supraconductivité chirale Couplage de Kondo Interaction Coulombienne Simulation Numérique Interaction électronique supraconductivé electron modèle de Hubbard corrélation réseau triangulaire modèle de Hubbard-Kondo méthode des amas quantiques ama quantique système fortement corrélé système aux électrons fortement corrélés électron fortement corrélé Hubbard Kondo corrélation électronique corrélation électron-électron Système Frustré Couplage
de Kondo interaction Coulombienne magnétisme spiral Paramètre d’ordre magnétique supraconducteur Approximation de l’Amas Variationnel Approximation Amas Variationnel diagonalisation exacte à température nulle diagonalisation répulsion Coulombienne locale URésumé : Dans ce travail, nous nous sommes intéressés aux systèmes dans lesquels les interactions électroniques
sont fortes. Ces systèmes, appelés systèmes aux électrons fortement corrélés, sont
décrits en utilisant le modèle de Hubbard. En plus de ces corrélations électroniques, nous
avons tenu en compte des effets de Kondo et de la frustration entre électrons sur un réseau
triangulaire. Pour tenir compte des effets Kondo, nous avons ajouté un terme couplant les
électrons localisés et ceux itinérants.
La résolution du modèle couplé, appelé modèle de Hubbard-Kondo, est basée sur les méthodes
d’amas quantiques, notamment l’Approximation de l’Amas Variationnel. Nous avons utilisé
la diagonalisation exacte à température nulle pour solutionner le hamiltonien du modèle. Le
modèle de Hubbard-Kondo comporte un terme de saut t, d’interaction d’échange, J⊥, couplant
les électrons localisés (impuretés) et de conduction (itinérants), responsable de la formation de
la phase magnétique.
En plus de ces deux termes, le modèle inclut la répulsion Coulombienne locale U appliquée aux
électrons itinérants et l’interaction de Heisenberg, JH, agissant sur les impuretés. Pour fixer
les impuretés, nous avons appliqué sur ces derniers un fort potentiel Coulombien local dénoté
Uf . Pour étudier la possibilité d’existence d’une phase supraconductrice, nous avons ajouté au
modèle de Hubbard-Kondo un terme décrivant la supraconductivité.
Nous avons exploré ainsi l’existence d’une phase magnétique (antiferromagnétisme), du singulet
Kondo, de la phase supraconductrice de type singulet et les compétitions pouvant exister entre
ces différentes phases.
Au demi-remplissage, nous avons obtenu les diagrammes de phases quantiques dans les plans
(J⊥, UJ⊥ ) et (J⊥, JH). Nous avons identifié un ordre antiferromagnétique spiral à longue portée,
défini par une orientation de 120◦ des spins localisés sur différents sites. Cette phase domine
le diagramme de phase pour des valeurs modérées de l’interaction d’échange, de la répulsion
Coulombienne et de l’interaction Heisenberg. Pour des valeurs importantes de l’interaction
d’échange, la phase des singulets Kondo devient plus stable. La transition entre l’ordre magnétique
spiral et la phase des singulets Kondo est une transition du second ordre. Nous avons
observé que l’effet de l’interaction de Heisenberg est de réduire la phase des singulets Kondo.
Cette interaction introduit également de petites oscillations du paramètre d’ordre magnétique
spiral.
En dehors du demi-remplissage, c’est-à -dire lorsque le système est dopé aux trous et le magnétisme
ignoré, nous avons trouvé une supraconductivité avec un paramètre d’ordre de symétrie
d + id, qui brise la symétrie par inversion du temps. L’amplitude du paramètre d’ordre supraconducteur
présente un dôme centré autour de 5% de dopage et diminue avec J⊥ .
Nous avons observé que le magnétisme peut coexister avec la supraconductivité et que l’amplitude
du paramètre d’ordre supraconducteur diminue dans la phase de coexistence. Ce résultat indique
bien que le mécanisme de la formation de la phase supraconductrice dépend de la phase
magnétique, et qu’une compétition existe entre ces phasesPermalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1334 Étude de la supraconductivité et du magnétisme du réseau triangulaire par la méthode des amas quantiques [texte imprimé] / Oumar Ndiaye, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2023 . - 96 P. ; 29 cm.
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Mots-clés : magnétisme Diagramme de phase Magnétisme spiral Supraconductivité chirale Couplage de Kondo Interaction Coulombienne Simulation Numérique Interaction électronique supraconductivé electron modèle de Hubbard corrélation réseau triangulaire modèle de Hubbard-Kondo méthode des amas quantiques ama quantique système fortement corrélé système aux électrons fortement corrélés électron fortement corrélé Hubbard Kondo corrélation électronique corrélation électron-électron Système Frustré Couplage
de Kondo interaction Coulombienne magnétisme spiral Paramètre d’ordre magnétique supraconducteur Approximation de l’Amas Variationnel Approximation Amas Variationnel diagonalisation exacte à température nulle diagonalisation répulsion Coulombienne locale URésumé : Dans ce travail, nous nous sommes intéressés aux systèmes dans lesquels les interactions électroniques
sont fortes. Ces systèmes, appelés systèmes aux électrons fortement corrélés, sont
décrits en utilisant le modèle de Hubbard. En plus de ces corrélations électroniques, nous
avons tenu en compte des effets de Kondo et de la frustration entre électrons sur un réseau
triangulaire. Pour tenir compte des effets Kondo, nous avons ajouté un terme couplant les
électrons localisés et ceux itinérants.
La résolution du modèle couplé, appelé modèle de Hubbard-Kondo, est basée sur les méthodes
d’amas quantiques, notamment l’Approximation de l’Amas Variationnel. Nous avons utilisé
la diagonalisation exacte à température nulle pour solutionner le hamiltonien du modèle. Le
modèle de Hubbard-Kondo comporte un terme de saut t, d’interaction d’échange, J⊥, couplant
les électrons localisés (impuretés) et de conduction (itinérants), responsable de la formation de
la phase magnétique.
En plus de ces deux termes, le modèle inclut la répulsion Coulombienne locale U appliquée aux
électrons itinérants et l’interaction de Heisenberg, JH, agissant sur les impuretés. Pour fixer
les impuretés, nous avons appliqué sur ces derniers un fort potentiel Coulombien local dénoté
Uf . Pour étudier la possibilité d’existence d’une phase supraconductrice, nous avons ajouté au
modèle de Hubbard-Kondo un terme décrivant la supraconductivité.
Nous avons exploré ainsi l’existence d’une phase magnétique (antiferromagnétisme), du singulet
Kondo, de la phase supraconductrice de type singulet et les compétitions pouvant exister entre
ces différentes phases.
Au demi-remplissage, nous avons obtenu les diagrammes de phases quantiques dans les plans
(J⊥, UJ⊥ ) et (J⊥, JH). Nous avons identifié un ordre antiferromagnétique spiral à longue portée,
défini par une orientation de 120◦ des spins localisés sur différents sites. Cette phase domine
le diagramme de phase pour des valeurs modérées de l’interaction d’échange, de la répulsion
Coulombienne et de l’interaction Heisenberg. Pour des valeurs importantes de l’interaction
d’échange, la phase des singulets Kondo devient plus stable. La transition entre l’ordre magnétique
spiral et la phase des singulets Kondo est une transition du second ordre. Nous avons
observé que l’effet de l’interaction de Heisenberg est de réduire la phase des singulets Kondo.
Cette interaction introduit également de petites oscillations du paramètre d’ordre magnétique
spiral.
En dehors du demi-remplissage, c’est-à -dire lorsque le système est dopé aux trous et le magnétisme
ignoré, nous avons trouvé une supraconductivité avec un paramètre d’ordre de symétrie
d + id, qui brise la symétrie par inversion du temps. L’amplitude du paramètre d’ordre supraconducteur
présente un dôme centré autour de 5% de dopage et diminue avec J⊥ .
Nous avons observé que le magnétisme peut coexister avec la supraconductivité et que l’amplitude
du paramètre d’ordre supraconducteur diminue dans la phase de coexistence. Ce résultat indique
bien que le mécanisme de la formation de la phase supraconductrice dépend de la phase
magnétique, et qu’une compétition existe entre ces phasesPermalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1334 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 2515 TH 2515 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible Documents numériques
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Titre : Étude théorique sur l’élimination des gaz toxiques : le sulfure d’hydrogène (H2S) et l’ammoniac (NH 3) par la méthode ab-initio Type de document : texte imprimé Auteurs : Omar Faye, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2019 Importance : 125 P Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : DFT H2S NH3 graphène dopage soufre zirconium atome gaz toxique sulfure d’hydrogène ammoniac ab-initio Résumé : Les préoccupations croissantes concernant l'environnement et le bien être des individus ont incité
la communauté scientifique à trouver des moyens efficaces pour éliminer les petites molécules
toxiques telles que l'ammoniac (NH3) et le sulfure d'hydrogène (H2S). Pour cela ; differents
absorbants ont été testés. Parmi lesquels ; le graphéne par ses proprietes physiques et chimiques
reprersente un aborbant potentiel pour l’élimination de ces molecules. C est pourquoi dans cette
thèse : nous avons utilisé le graphène fonctionnalisé par l’atome de soufre(S), la fonction amine NH
et enfin l‘atome de zirconium (Zr) pour explorer l’élimination de ces deux gaz toxiques par
l’adsorption réactive. Pour cela nous avons utilisé la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) pour
comprendre le comportement de H2S and NH3 en présence du graphène fonctionnalisé par S, NH,
et Zr. Les résultats du calcul ab-initio montrent que le sulfure d'hydrogène se décompose sur le
graphène fonctionnalisé par S et le groupement amine NH alors que l'ammoniac se dissocie sur le
graphène fonctionnalisé par Zr pour libérer H2 comme produit de réaction. Ces tresults montrent
que le graphéne dopé par le soufre ; le groupement NH et l’atome de zirconium peut etre un moyen
éffica pour l’élimination des H2S et NH3. Cette étude développée dans cette thèse peut fournir aussi
une compréhension fondamentale, au niveau électronique et atomistique, le rôle des défauts de
surface et des fonctionnalités du graphène pour l'adsorption réactive des molécules de gaz toxiques
(H2S et NH3).Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=229 Étude théorique sur l’élimination des gaz toxiques : le sulfure d’hydrogène (H2S) et l’ammoniac (NH 3) par la méthode ab-initio [texte imprimé] / Omar Faye, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2019 . - 125 P ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : DFT H2S NH3 graphène dopage soufre zirconium atome gaz toxique sulfure d’hydrogène ammoniac ab-initio Résumé : Les préoccupations croissantes concernant l'environnement et le bien être des individus ont incité
la communauté scientifique à trouver des moyens efficaces pour éliminer les petites molécules
toxiques telles que l'ammoniac (NH3) et le sulfure d'hydrogène (H2S). Pour cela ; differents
absorbants ont été testés. Parmi lesquels ; le graphéne par ses proprietes physiques et chimiques
reprersente un aborbant potentiel pour l’élimination de ces molecules. C est pourquoi dans cette
thèse : nous avons utilisé le graphène fonctionnalisé par l’atome de soufre(S), la fonction amine NH
et enfin l‘atome de zirconium (Zr) pour explorer l’élimination de ces deux gaz toxiques par
l’adsorption réactive. Pour cela nous avons utilisé la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) pour
comprendre le comportement de H2S and NH3 en présence du graphène fonctionnalisé par S, NH,
et Zr. Les résultats du calcul ab-initio montrent que le sulfure d'hydrogène se décompose sur le
graphène fonctionnalisé par S et le groupement amine NH alors que l'ammoniac se dissocie sur le
graphène fonctionnalisé par Zr pour libérer H2 comme produit de réaction. Ces tresults montrent
que le graphéne dopé par le soufre ; le groupement NH et l’atome de zirconium peut etre un moyen
éffica pour l’élimination des H2S et NH3. Cette étude développée dans cette thèse peut fournir aussi
une compréhension fondamentale, au niveau électronique et atomistique, le rôle des défauts de
surface et des fonctionnalités du graphène pour l'adsorption réactive des molécules de gaz toxiques
(H2S et NH3).Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=229 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 2254 TH 2254 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible Documents numériques
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Titre : ÉTUDE DE LA TRANSITION ISOLANT-METAL D’UNE COUCHE MINCE DE DIOXYDE DE VANADIUM SOUMISE A DES DOSES DE RAYONNEMENT GAMMA PAR DIVERSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION. Type de document : texte imprimé Auteurs : Mamadou Ndiaye, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2025 Importance : 70 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Irradiation gamma Couche mince Dioxyde de vanadium VO2 Photoémission Transition Isolant Métal Rayonnement gamma Transition isolant-métal Isolant-métal Oxyde de vanadium Orbitale moléculaire Transition de Bloch Wilson Transition d’Anderson Transition de Mott Transition de Peierls Isolant de Mott Isolant de peierl Ablation laser pulsée Ablation Laser pulsée Diffraction des Rayons Spectroscopie Spectroscopie de Photoémission Physique de la matière condensée Transition de phase isolant-métal Propriété Structurale cristallographique Structure de bandes Spectroscopie Photo électronique à rayonnement Ultraviolet Rayonnement Résumé : Nous rapportons dans ce travail l’effet de l’irradiation gamma sur une couche mince de vanadium (VO2) par la technique de la photoémission.
Les couches minces de dioxyde de vanadium (VO2) ont été déposées sur un substrat de verre sodé maintenu à une température de 600°C pendant un temps de dépôt de 45 min. Un laser excimère KrF d'une longueur d'onde de 248 nm, d'une fluence de 1,7 J/cm2 et d'une fréquence de 10 Hz a été utilisé pour irradier la cible en vanadium métallique. Le dépôt a été effectué dans une atmosphère d'oxygène à une pression de 15 mtorr. L'épaisseur du film est égale à 80 nm.
Cet échantillon a été séparé en quatre échantillons qui sont soumis respectivement à des rayonnements gamma de 0 ; 50 ; 100 et 300 kGy. Un irradiateur panoramique à source ponctuelle de cobalt 60 (ARC Infruite Stellenbosch, Western Cape, Afrique du Sud) a été utilisé pour irradier les échantillons. La structure cristallographique des couches minces de VO2 a été caractérisée et confirmée par la technique de la diffraction des rayons X (XRD). L'analyse de ces diffractogrammes montre la présence exclusive de la phase monoclinique avec une orientation principale le long du plan (100) qui correspond étroitement à celle de la phase monoclinique de (VO2) (JCPDS No. 00-043-1051), avec le groupe spatial P21/c, et les paramètres du réseau a = 5,75 Å, b = 4,54 Å, c = 5,38 Å, α = 90 °C et β = 122.6°C. Contrairement à ce qui reporté dans la littérature ou le plan d’orientation principale le plan (011).
L'espacement inter réticulaire diminue pour doses d'irradiation 0 à 100 kGy et augmente pour 100 kGy à 300 kGy le long du plan (100). Le long du plan (011), on observe une diminution continue en fonction de toutes les doses d'irradiation de 0 à 300 kGy. L'évolution de la taille des cristallites le long du plan de réflexion (100), en fonction des doses d'irradiation, diminue à 50 kGy, puis augmente à 100 kGy et diminue à 300 kGy, ce qui montre un manque de tendance cohérente. Le long du plan (011), on observe une tendance à la baisse à partir de 50 kGy, avec une petite taille de grain par rapport à l'orientation principale (100) pour toutes les doses d'irradiation.
Les mesures Spectroscopie Photo électronique à rayonnement X (XPS) montrent la présence de 3 états d’oxydations V3+ , V4+ et V5+ en dehors des éléments chimiques Si, Na, C ,O, Ca… .Une variation de la dose d'irradiation allant de 0 à 100 kGy, provoque une augmentation des ions V3+ (V2O3) et une diminution des ions V5+ (V2O5) et une diminution des états d'oxydation V3+ et V5+ et donc une augmentation de l'état de valence V4+ est observée pour des doses d'irradiation comprises entre 100 et 300 kGy, ce qui favorise la stabilité du dioxyde de vanadium (VO2).
Les analyses MEB et AFM suggère que l'augmentation de l'irradiation gamma entraîne une augmentation suivie d'une diminution de la taille des cristallites et de la rugosité de surface Ces dernières tendent à retrouver à leurs valeurs initiales. Ainsi, le matériau retrouve pratiquement sa morphologie d'origine. Les propriétés électriques (résistivité) des films irradiés par les rayons gamma ne présentent pas de changement majeur. La température de transition et la largeur d’hystérésis connaissent une certaines variations pour les doses comprises entre 0 à 100 kGy, mais au-delà (100 jusqu’à 300 kGy) elles retrouvent leurs valeurs initiales.
Ainsi les films de VO2 pourraient être utilisés avantageusement pour le blindage thermique des petits engins spatiaux, puisque leurs propriétés restent essentiellement inchangées lorsqu'ils sont soumis à des doses de rayons gamma similaires à celles rencontrées lors de missions spatiales.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2389 ÉTUDE DE LA TRANSITION ISOLANT-METAL D’UNE COUCHE MINCE DE DIOXYDE DE VANADIUM SOUMISE A DES DOSES DE RAYONNEMENT GAMMA PAR DIVERSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION. [texte imprimé] / Mamadou Ndiaye, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2025 . - 70 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Irradiation gamma Couche mince Dioxyde de vanadium VO2 Photoémission Transition Isolant Métal Rayonnement gamma Transition isolant-métal Isolant-métal Oxyde de vanadium Orbitale moléculaire Transition de Bloch Wilson Transition d’Anderson Transition de Mott Transition de Peierls Isolant de Mott Isolant de peierl Ablation laser pulsée Ablation Laser pulsée Diffraction des Rayons Spectroscopie Spectroscopie de Photoémission Physique de la matière condensée Transition de phase isolant-métal Propriété Structurale cristallographique Structure de bandes Spectroscopie Photo électronique à rayonnement Ultraviolet Rayonnement Résumé : Nous rapportons dans ce travail l’effet de l’irradiation gamma sur une couche mince de vanadium (VO2) par la technique de la photoémission.
Les couches minces de dioxyde de vanadium (VO2) ont été déposées sur un substrat de verre sodé maintenu à une température de 600°C pendant un temps de dépôt de 45 min. Un laser excimère KrF d'une longueur d'onde de 248 nm, d'une fluence de 1,7 J/cm2 et d'une fréquence de 10 Hz a été utilisé pour irradier la cible en vanadium métallique. Le dépôt a été effectué dans une atmosphère d'oxygène à une pression de 15 mtorr. L'épaisseur du film est égale à 80 nm.
Cet échantillon a été séparé en quatre échantillons qui sont soumis respectivement à des rayonnements gamma de 0 ; 50 ; 100 et 300 kGy. Un irradiateur panoramique à source ponctuelle de cobalt 60 (ARC Infruite Stellenbosch, Western Cape, Afrique du Sud) a été utilisé pour irradier les échantillons. La structure cristallographique des couches minces de VO2 a été caractérisée et confirmée par la technique de la diffraction des rayons X (XRD). L'analyse de ces diffractogrammes montre la présence exclusive de la phase monoclinique avec une orientation principale le long du plan (100) qui correspond étroitement à celle de la phase monoclinique de (VO2) (JCPDS No. 00-043-1051), avec le groupe spatial P21/c, et les paramètres du réseau a = 5,75 Å, b = 4,54 Å, c = 5,38 Å, α = 90 °C et β = 122.6°C. Contrairement à ce qui reporté dans la littérature ou le plan d’orientation principale le plan (011).
L'espacement inter réticulaire diminue pour doses d'irradiation 0 à 100 kGy et augmente pour 100 kGy à 300 kGy le long du plan (100). Le long du plan (011), on observe une diminution continue en fonction de toutes les doses d'irradiation de 0 à 300 kGy. L'évolution de la taille des cristallites le long du plan de réflexion (100), en fonction des doses d'irradiation, diminue à 50 kGy, puis augmente à 100 kGy et diminue à 300 kGy, ce qui montre un manque de tendance cohérente. Le long du plan (011), on observe une tendance à la baisse à partir de 50 kGy, avec une petite taille de grain par rapport à l'orientation principale (100) pour toutes les doses d'irradiation.
Les mesures Spectroscopie Photo électronique à rayonnement X (XPS) montrent la présence de 3 états d’oxydations V3+ , V4+ et V5+ en dehors des éléments chimiques Si, Na, C ,O, Ca… .Une variation de la dose d'irradiation allant de 0 à 100 kGy, provoque une augmentation des ions V3+ (V2O3) et une diminution des ions V5+ (V2O5) et une diminution des états d'oxydation V3+ et V5+ et donc une augmentation de l'état de valence V4+ est observée pour des doses d'irradiation comprises entre 100 et 300 kGy, ce qui favorise la stabilité du dioxyde de vanadium (VO2).
Les analyses MEB et AFM suggère que l'augmentation de l'irradiation gamma entraîne une augmentation suivie d'une diminution de la taille des cristallites et de la rugosité de surface Ces dernières tendent à retrouver à leurs valeurs initiales. Ainsi, le matériau retrouve pratiquement sa morphologie d'origine. Les propriétés électriques (résistivité) des films irradiés par les rayons gamma ne présentent pas de changement majeur. La température de transition et la largeur d’hystérésis connaissent une certaines variations pour les doses comprises entre 0 à 100 kGy, mais au-delà (100 jusqu’à 300 kGy) elles retrouvent leurs valeurs initiales.
Ainsi les films de VO2 pourraient être utilisés avantageusement pour le blindage thermique des petits engins spatiaux, puisque leurs propriétés restent essentiellement inchangées lorsqu'ils sont soumis à des doses de rayons gamma similaires à celles rencontrées lors de missions spatiales.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2389 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 2619 TH 2619 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible Documents numériques
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Titre : Spectroscopie de GaAs et influence des recuits thermiques sur les propriétés optoélectroniques de puits quantiques Ga1 - xI nx As / GaAs Type de document : texte imprimé Auteurs : Bassirou LO, Auteur Editeur : [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : 1998 Importance : 107 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Semiconducteur Hétérostructure Impureté Implantation Alliage Recuit thermique Activation électrique Conductivité Excitation Photoluminescence Epitaxie pseudomorphique Relaxation Spectroscopie de GaAs Spectroscopie GaAs Optoélectronique Puit quantique Ga1-xlnxAs Ga1-xlnxAs/GaAs Résumé : Un aperçu des propriétés structurales et électroniques de bandes des alliages
semiconducteurs III-V à base de Ga1-xinxAs ainsi que des méthodes de
croissance (cristaux massifs et couches minces épitaxiales) est présenté afin
de discuter des conséquences de l'adaptation de maille.
L'analyse des mécanismes de recombinaison et des transitions optiques est
appliquée à la spectroscopie de photoluminescence de GaAs. Les propriétés
d'émission de GaAs implanté aux ions Hg+, et la formation d'accepteur
complexe mettant en jeu l'accepteur Hg sont étudiées
La spectroscopie d'excitation de l'accepteur Hg et des em1ssions satellites
(répliques phononiques Raman, Raman électronique sur les impuretés, des
excitons liés aux impuretés, des raies de recombinaison donneur - accepteur)
est mis à profit pour dresser le spectre des états excités du mercure.
Les propriétés optoélectroniques des puits quantiques Ga1-xinxAs/ GaAs
hétéroépitaxiées et l'origine de leur dégradation rapide probablement
provoquée par un accroissement de la température locale lors du
fonctionnement des lasers sont examinées grâce à l'étude de· l'influence des
recuits thermiques sur leurs spectres d'émission.
Enfin, les mécanismes de relaxation sont discutés en relation avec les
conditions de recuit thermique des structures pseudomorphiques et de leur
épaisseur critique.
Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2078 Spectroscopie de GaAs et influence des recuits thermiques sur les propriétés optoélectroniques de puits quantiques Ga1 - xI nx As / GaAs [texte imprimé] / Bassirou LO, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 1998 . - 107 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Semiconducteur Hétérostructure Impureté Implantation Alliage Recuit thermique Activation électrique Conductivité Excitation Photoluminescence Epitaxie pseudomorphique Relaxation Spectroscopie de GaAs Spectroscopie GaAs Optoélectronique Puit quantique Ga1-xlnxAs Ga1-xlnxAs/GaAs Résumé : Un aperçu des propriétés structurales et électroniques de bandes des alliages
semiconducteurs III-V à base de Ga1-xinxAs ainsi que des méthodes de
croissance (cristaux massifs et couches minces épitaxiales) est présenté afin
de discuter des conséquences de l'adaptation de maille.
L'analyse des mécanismes de recombinaison et des transitions optiques est
appliquée à la spectroscopie de photoluminescence de GaAs. Les propriétés
d'émission de GaAs implanté aux ions Hg+, et la formation d'accepteur
complexe mettant en jeu l'accepteur Hg sont étudiées
La spectroscopie d'excitation de l'accepteur Hg et des em1ssions satellites
(répliques phononiques Raman, Raman électronique sur les impuretés, des
excitons liés aux impuretés, des raies de recombinaison donneur - accepteur)
est mis à profit pour dresser le spectre des états excités du mercure.
Les propriétés optoélectroniques des puits quantiques Ga1-xinxAs/ GaAs
hétéroépitaxiées et l'origine de leur dégradation rapide probablement
provoquée par un accroissement de la température locale lors du
fonctionnement des lasers sont examinées grâce à l'étude de· l'influence des
recuits thermiques sur leurs spectres d'émission.
Enfin, les mécanismes de relaxation sont discutés en relation avec les
conditions de recuit thermique des structures pseudomorphiques et de leur
épaisseur critique.
Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2078 Réservation
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Exemplaires(3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 453 TH 453 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible TH 454 TH 454 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible TH 455 TH 455 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Physique de la matière condensée Disponible
Titre : SYNTHÈSE DES COUCHES MINCES DU BIVO4 SUR DU TiO2 POREUX PAR ABLATION LASER POUR L'APPLICATION À LA PHOTOCATALYSE. Type de document : texte imprimé Auteurs : Astou SECK, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2024 Importance : 128 P. Format : 29 cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : Photocatalyse TC Polluant organique Anodisation Dépôt Ablation laser Auto-dopage Hétérojonction Nanotube Couche mince TiO2 BiVO4 W-VO2 Résumé : La photocatalyse permet de dégrader les polluants organiques présents dans les eaux contaminées.
Cette technologie est basée sur l'activation d'un catalyseur par la lumière (naturelle ou artificielle)
et présente de nombreux avantages, tels que sa stabilité, son faible coût, sa faible consommation
d'énergie et surtout sa capacité à minéraliser de nombreuses variétés de polluants organiques dans
l'eau sans introduire de nouvelles substances toxiques. Ces qualités en ont fait une technologie
commercialement viable. Les matériaux utilisés pour cette application sont souvent des semiconducteurs
à base d'oxyde tels que TiO2 et BiVO4. Cependant, ces matériaux sont soumis à des
limitations dans leurs applications, telles qu'une large bande interdite et une recombinaison rapide
des électrons et des trous lorsqu'ils sont irradiés par la lumière. Pour surmonter ces limitations,
nous avons utilisé l'autodopage, l'hétérojonction, l'alignement des bandes et l'inversion de la
direction du champ électrique interne (CEI). L'objectif de cette thèse était de synthét iser des
hétérojonctions de haute qualité à partir de films minces de TiO2 et de BiVO4 et de les intégrer
dans des dispositifs photocatalytiques avec une bonne efficacité de conversion et une stabilité Ã
long terme. Ainsi, nous avons développé des approches physiques basées sur l'utilisation de
l'anodisation et de l'ablation laser pulsée (PLD) car cette dernière permet de modifier
significativement la morphologie et l'épaisseur déposée en contrôlant simplement les paramètres
de dépôt. Le contrôle de ces techniques de fabrication s'avère être un moyen essentiel pour
maximiser la performance des catalyseurs.
Dans la première partie de la thèse, la technique de PLD a été utilisée pour faire varier avec
précision la teneur en BiVO4 sur la surface extérieure de réseaux de nanotubes de TiO2 noir (BTiO2).
Le B-TiO2(225) optimal élimine plus de 80% de l'antibiotique tétracycline (TC), alors que
les nanotubes de TiO2 purs n'éliminent que 27% de la TC après 300 min de réaction
photocatalytique sous irradiation de lumière visible. En outre, la constante du taux d'élimination en
utilisant l'hétérojonction optimale est de 0,005 min-1, ce qui est plus de 5 fois supérieur à celui des
nanotubes de TiO2 nus. La toxicité post-traitement a été évaluée à l'aide de la méthode de la densité
optique et du programme ECOSAR (Ecological Structure Activity Relationship). Les résultats
indiquent que le rapport de masse entre B-TiO2 et BiVO4 est un paramètre critique pour déterminer
l'activité photocatalytique, non seulement en termes d'efficacité et de cinétique de dégradation de la TC, mais aussi de type et de quantité de sous-produits et, par conséquent, de toxicité de la
solution traitée.
Par la suite, toujours en utilisant la PLD, nous avons réalisé une hétérojonction de BiVO4 et TiO2
avec l'insertion d'une petite couche mince de VO2 dopée au W. Cette stratégie a permis de modifier
les fonctions de travail des photocatalyseurs (BiVO4 et TiO2), la direction du CEI et l'ingénierie
des bords de bande, augmentant ainsi la décontamination de la TC et la densité de courant. En
conséquence, la densité de photocourant de l'hétérostructure BiVO4/W-VO2/TiO2 a été
significativement augmentée de 145% par rapport à BiVO4/TiO2. Le même résultat a été obtenu
avec la constante de vitesse cinétique pour l'élimination de la TC sous irradiation de lumière visible
par le même photocatalyseur. Sa constante de vitesse cinétique est respectivement de 225% et
110% plus élevée que celles de BiVO4/TiO2 et BiVO4. Le taux de dégradation photocatalytique
plus élevé avec BiVO4/W-VO2/TiO2 par rapport aux autres photocatalyseurs est dû à la meilleure
séparation des porteurs de charge et aux potentiels de bande inchangés de BiVO4 et TiO2, ce qui
conduit à la formation de radicaux à haut potentiel capables de dégrader la TC par des réactions
d'oxydoréduction ou par la formation d'espèces réactives de l'oxygène (ERO).
Enfin, l'identification et l'analyse de la toxicité de la TC et de ses produits de dégradation (DP) ont
été réalisées en utilisant respectivement la LC-HR-MS/MS (Spectrométrie de masse en tandem LC
à haute résolution) et le Toxicity Estimation Software Tool (T.E.S.T). D'après les résultats de la
densité optique, une croissance bactérienne plus importante a été obtenue avec la solution traitée
avec BiVO4/W-VO2/TiO2. Cela confirme l'importance du CEI et de l'alignement des bords de
bande sur la capacité de détoxification de ce photocatalyseur.
Ces résultats démontrent que la technique PLD est une méthode très prometteuse pour synthétiser
des films minces de bonne qualité pour des applications photocatalytiques.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2034 SYNTHÈSE DES COUCHES MINCES DU BIVO4 SUR DU TiO2 POREUX PAR ABLATION LASER POUR L'APPLICATION À LA PHOTOCATALYSE. [texte imprimé] / Astou SECK, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2024 . - 128 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Photocatalyse TC Polluant organique Anodisation Dépôt Ablation laser Auto-dopage Hétérojonction Nanotube Couche mince TiO2 BiVO4 W-VO2 Résumé : La photocatalyse permet de dégrader les polluants organiques présents dans les eaux contaminées.
Cette technologie est basée sur l'activation d'un catalyseur par la lumière (naturelle ou artificielle)
et présente de nombreux avantages, tels que sa stabilité, son faible coût, sa faible consommation
d'énergie et surtout sa capacité à minéraliser de nombreuses variétés de polluants organiques dans
l'eau sans introduire de nouvelles substances toxiques. Ces qualités en ont fait une technologie
commercialement viable. Les matériaux utilisés pour cette application sont souvent des semiconducteurs
à base d'oxyde tels que TiO2 et BiVO4. Cependant, ces matériaux sont soumis à des
limitations dans leurs applications, telles qu'une large bande interdite et une recombinaison rapide
des électrons et des trous lorsqu'ils sont irradiés par la lumière. Pour surmonter ces limitations,
nous avons utilisé l'autodopage, l'hétérojonction, l'alignement des bandes et l'inversion de la
direction du champ électrique interne (CEI). L'objectif de cette thèse était de synthét iser des
hétérojonctions de haute qualité à partir de films minces de TiO2 et de BiVO4 et de les intégrer
dans des dispositifs photocatalytiques avec une bonne efficacité de conversion et une stabilité Ã
long terme. Ainsi, nous avons développé des approches physiques basées sur l'utilisation de
l'anodisation et de l'ablation laser pulsée (PLD) car cette dernière permet de modifier
significativement la morphologie et l'épaisseur déposée en contrôlant simplement les paramètres
de dépôt. Le contrôle de ces techniques de fabrication s'avère être un moyen essentiel pour
maximiser la performance des catalyseurs.
Dans la première partie de la thèse, la technique de PLD a été utilisée pour faire varier avec
précision la teneur en BiVO4 sur la surface extérieure de réseaux de nanotubes de TiO2 noir (BTiO2).
Le B-TiO2(225) optimal élimine plus de 80% de l'antibiotique tétracycline (TC), alors que
les nanotubes de TiO2 purs n'éliminent que 27% de la TC après 300 min de réaction
photocatalytique sous irradiation de lumière visible. En outre, la constante du taux d'élimination en
utilisant l'hétérojonction optimale est de 0,005 min-1, ce qui est plus de 5 fois supérieur à celui des
nanotubes de TiO2 nus. La toxicité post-traitement a été évaluée à l'aide de la méthode de la densité
optique et du programme ECOSAR (Ecological Structure Activity Relationship). Les résultats
indiquent que le rapport de masse entre B-TiO2 et BiVO4 est un paramètre critique pour déterminer
l'activité photocatalytique, non seulement en termes d'efficacité et de cinétique de dégradation de la TC, mais aussi de type et de quantité de sous-produits et, par conséquent, de toxicité de la
solution traitée.
Par la suite, toujours en utilisant la PLD, nous avons réalisé une hétérojonction de BiVO4 et TiO2
avec l'insertion d'une petite couche mince de VO2 dopée au W. Cette stratégie a permis de modifier
les fonctions de travail des photocatalyseurs (BiVO4 et TiO2), la direction du CEI et l'ingénierie
des bords de bande, augmentant ainsi la décontamination de la TC et la densité de courant. En
conséquence, la densité de photocourant de l'hétérostructure BiVO4/W-VO2/TiO2 a été
significativement augmentée de 145% par rapport à BiVO4/TiO2. Le même résultat a été obtenu
avec la constante de vitesse cinétique pour l'élimination de la TC sous irradiation de lumière visible
par le même photocatalyseur. Sa constante de vitesse cinétique est respectivement de 225% et
110% plus élevée que celles de BiVO4/TiO2 et BiVO4. Le taux de dégradation photocatalytique
plus élevé avec BiVO4/W-VO2/TiO2 par rapport aux autres photocatalyseurs est dû à la meilleure
séparation des porteurs de charge et aux potentiels de bande inchangés de BiVO4 et TiO2, ce qui
conduit à la formation de radicaux à haut potentiel capables de dégrader la TC par des réactions
d'oxydoréduction ou par la formation d'espèces réactives de l'oxygène (ERO).
Enfin, l'identification et l'analyse de la toxicité de la TC et de ses produits de dégradation (DP) ont
été réalisées en utilisant respectivement la LC-HR-MS/MS (Spectrométrie de masse en tandem LC
à haute résolution) et le Toxicity Estimation Software Tool (T.E.S.T). D'après les résultats de la
densité optique, une croissance bactérienne plus importante a été obtenue avec la solution traitée
avec BiVO4/W-VO2/TiO2. Cela confirme l'importance du CEI et de l'alignement des bords de
bande sur la capacité de détoxification de ce photocatalyseur.
Ces résultats démontrent que la technique PLD est une méthode très prometteuse pour synthétiser
des films minces de bonne qualité pour des applications photocatalytiques.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2034 Réservation
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