| Titre : |
Modélisation de la diffusion DES PORTEURS DE CHARGES dans une photopile à puits quantique GaAs/SiGe: Influence du champ magnétique et de la température |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Amadou DIA, Auteur |
| Editeur : |
[Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique |
| Année de publication : |
2025 |
| Importance : |
37 P. |
| Format : |
29 cm. |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Energie solaire Photopile Photopile à puits quantique Photopile quantique Porteur de charge Semi-conducteur Arséniure de Gallium alliage Silicium-Germanium Champ magnétique Température Photovoltaïque GaAs/SiGe GaAs SiGe |
| Résumé : |
Ce mémoire étudie la modélisation de la diffusion des porteurs de charges (électrons et trous) dans une photopile à puits quantique de type GaAs/SiGe, en analysant spécifiquement l’influence du champ magnétique et de la température sur les mécanismes de transport.
Une photopile quantique est un dispositif photovoltaïque de nouvelle génération intégrant des structures de puits quantiques, où les porteurs sont confinés dans une ou plusieurs dimensions à l’échelle nanométrique. Ce confinement modifie la densité d'états électroniques et permet d’optimiser l’absorption spectrale, augmentant ainsi le rendement de conversion de l’énergie solaire.
Dans ce contexte, la diffusion des porteurs de charges représente l’un des processus fondamentaux de transport, correspondant au mouvement aléatoire des porteurs sous l’effet d’un gradient de concentration. Dans les matériaux semi-conducteurs à puits quantique, cette diffusion est influencée par les effets quantiques, la nature des interfaces, et les conditions extérieures telles que le champ magnétique et la température.
La modélisation repose sur l’équation de continuité, issue du principe fondamental de conservation de la charge électrique. Elle permet de décrire l’évolution spatiale et temporelle de la densité de porteurs en tenant compte des mécanismes de génération, de recombinaison, et du flux diffusif.
L’application d’un champ magnétique génère une force de Lorentz qui agit sur les porteurs mobiles, modifiant leur trajectoire, leur mobilité, et donc leur diffusion. De même, la température influence fortement la dynamique des porteurs en affectant leur énergie thermique, leur mobilité, ainsi que les taux de recombinaison. Ces deux paramètres jouent donc un rôle clé dans la performance globale de la photopile quantique. |
| Permalink : |
https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=3154 |
Modélisation de la diffusion DES PORTEURS DE CHARGES dans une photopile à puits quantique GaAs/SiGe: Influence du champ magnétique et de la température [texte imprimé] / Amadou DIA, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2025 . - 37 P. ; 29 cm. Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Energie solaire Photopile Photopile à puits quantique Photopile quantique Porteur de charge Semi-conducteur Arséniure de Gallium alliage Silicium-Germanium Champ magnétique Température Photovoltaïque GaAs/SiGe GaAs SiGe |
| Résumé : |
Ce mémoire étudie la modélisation de la diffusion des porteurs de charges (électrons et trous) dans une photopile à puits quantique de type GaAs/SiGe, en analysant spécifiquement l’influence du champ magnétique et de la température sur les mécanismes de transport.
Une photopile quantique est un dispositif photovoltaïque de nouvelle génération intégrant des structures de puits quantiques, où les porteurs sont confinés dans une ou plusieurs dimensions à l’échelle nanométrique. Ce confinement modifie la densité d'états électroniques et permet d’optimiser l’absorption spectrale, augmentant ainsi le rendement de conversion de l’énergie solaire.
Dans ce contexte, la diffusion des porteurs de charges représente l’un des processus fondamentaux de transport, correspondant au mouvement aléatoire des porteurs sous l’effet d’un gradient de concentration. Dans les matériaux semi-conducteurs à puits quantique, cette diffusion est influencée par les effets quantiques, la nature des interfaces, et les conditions extérieures telles que le champ magnétique et la température.
La modélisation repose sur l’équation de continuité, issue du principe fondamental de conservation de la charge électrique. Elle permet de décrire l’évolution spatiale et temporelle de la densité de porteurs en tenant compte des mécanismes de génération, de recombinaison, et du flux diffusif.
L’application d’un champ magnétique génère une force de Lorentz qui agit sur les porteurs mobiles, modifiant leur trajectoire, leur mobilité, et donc leur diffusion. De même, la température influence fortement la dynamique des porteurs en affectant leur énergie thermique, leur mobilité, ainsi que les taux de recombinaison. Ces deux paramètres jouent donc un rôle clé dans la performance globale de la photopile quantique. |
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Modélisation de la diffusion DES PORTEURS DE CHARGES dans une photopile à puits quantique GaAs/SiGe: Influence du champ magnétique et de la température (2025)
