Titre :	Application de la technique de rendement quantique interne a la determination des parametres de recombinaison dans une photopile bifaciale au silicum
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Saidou MADOUGOU, Auteur
Editeur :	[Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique
Année de publication :	2003
Importance :	37 P.
Format :	29 cm.
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Photopile  Photopile bifaciale  Photocourant  Phototension  Vitesses de recombinaison  Rendement quantique  Longueur de diffusion  Paramètres de recombinaison  Silicum  Porteur minoritaire  Energie solaire
Résumé :	Dans ce travail, une étude bibliographique sur les techniques de caractérisation des photopiles bifaciales a été d'abord présentée. La photopile bifaciale au silicium en régime statique est étudiée sous éclairement monochromatique constant. Cette étude, nous a permis d'établir les expressions dès densités des porteurs minoritaires de charge en excès et de photocourant selon que ta photopile est éclairée par sa face avant ou par sa face arrière' La phototension a également été étudiée puis les expressions des vitesses de recombinaison en face arrière et à ra jonction ont été déterminées. Les expressions du courant de court-circuit théorique et des rendements quantiques internes théoriques pour chacun des deux modes d'éclairement ont été également présentées. Nous avons dégagé ensuite deux méthodes de détermination des paramètres de recombinaison des porteurs minoritaires de charge en excès. La première méthode, dite d'algorithme de calculs, combine les données expérimentales et théoriques pour calculer les longueurs de diffusion. La seconde consiste à faire des ajustements linéaires sur les courbes de l'inverse du rendement quantique interne afin d,extraire tes longueurs de diffusion.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=3019

Application de la technique de rendement quantique interne a la determination des parametres de recombinaison dans une photopile bifaciale au silicum [texte imprimé] / Saidou MADOUGOU, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2003 . - 37 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Photopile  Photopile bifaciale  Photocourant  Phototension  Vitesses de recombinaison  Rendement quantique  Longueur de diffusion  Paramètres de recombinaison  Silicum  Porteur minoritaire  Energie solaire
Résumé :	Dans ce travail, une étude bibliographique sur les techniques de caractérisation des photopiles bifaciales a été d'abord présentée. La photopile bifaciale au silicium en régime statique est étudiée sous éclairement monochromatique constant. Cette étude, nous a permis d'établir les expressions dès densités des porteurs minoritaires de charge en excès et de photocourant selon que ta photopile est éclairée par sa face avant ou par sa face arrière' La phototension a également été étudiée puis les expressions des vitesses de recombinaison en face arrière et à ra jonction ont été déterminées. Les expressions du courant de court-circuit théorique et des rendements quantiques internes théoriques pour chacun des deux modes d'éclairement ont été également présentées. Nous avons dégagé ensuite deux méthodes de détermination des paramètres de recombinaison des porteurs minoritaires de charge en excès. La première méthode, dite d'algorithme de calculs, combine les données expérimentales et théoriques pour calculer les longueurs de diffusion. La seconde consiste à faire des ajustements linéaires sur les courbes de l'inverse du rendement quantique interne afin d,extraire tes longueurs de diffusion.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=3019