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Caractérisation d'une photopile bifaciale au silicium monocristallin sous éclairement monochromatique / Lemrabott OULD HABIBOULAHY (2002)

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ISBD

Titre :

Caractérisation d'une photopile bifaciale au silicium monocristallin sous éclairement monochromatique

Type de document :

texte imprimé

Auteurs :

Lemrabott OULD HABIBOULAHY, Auteur

Editeur :

[Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique

Année de publication :

2002

Importance :

87 P.

Format :

29 cm

Langues :

Français (fre)

Mots-clés :

Photopile bifaciale Silicium monocristallin Longueur de diffusion vitesse de recombinaison Densité relative Porteur minoritaire Longueur d'onde Densité Courant de court circuit Courant réduit Energie solaire Eclairement monochromatique Court circuit Courant court circuit

Résumé :

Une étude bibliographique des techniques de caractérisation d'une photopile en régime
statique est présentée. La photopile sous éclairement constant est étudiée. Les deux faces de la
photopile bifaciale sont éclairées l’une après l’autre et l’influence de la longueur d’onde ainsi que des phénomènes de recombinaison en volume et en surface sur les profils des densités
des porteurs de charge est évaluée. Les conséquences sur les paramètres macroscopiques
électriques tels le photocourant, la phototension, la puissance sont analysées.
Des nouvelles expressions de la vitesse de recombinaison des porteurs de charge en
face arrière ont été établies.
Une étude expérimentale est présentée et conduit à la détermination de la longueur de
diffusion effective par la technique de l'intersection des courbes de rapports théorique et
expérimental de densités de courant de court-circuit.
A partir de cette longueur de diffusion effectives les vitesses de recombinaison en face
arrière sont déterminées.

Permalink :

https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2869

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