Titre :	DETERMINATION DE L’EPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE (DOPEE P) D’UNE PHOTOPILE N+-P-P+ AU SILICIUM SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE DE LA FACE ARRIERE (P+), SOUS L’EFFET DE LA TEMPERATURE ET DU CHAMP MAGNETIQUE EXTERIEUR, PAR LE CONCEPT DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON EN FACE ARRIERE : EFFET SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES (RS, RSH, CZ)
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Maimouna Mint Ely, Auteur
Editeur :	Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur
Année de publication :	2020
Importance :	94 P.
Format :	29 cm
Note générale :	thèse provisoire
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Photopile bifaciale  Température  Champ magnétique  Résistance série  Résistance shunt  Energie solaire  SILICIUM  ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE  VITESSE DE RECOMBINAISON
Résumé :	Au cours de notre étude bibliographique, une brève histoire de la photopile bifaciale a été réalisée en présentant les premières structures de cellules solaires bifaciales proposées. Les effets de la température, du champ magnétique et des paramètres électriques d’une photopile bifaciale au silicium en régime statique ont été présentée aussi. L’étude théorique menée sur une photopile bifaciale au silicium a permis de déterminer les expressions du coefficient de diffusion, de la densité des porteurs minoritaires, de la densité de photocourant, de la phototension et de la capacité en fonction de la température et du champ magnétique et aussi de l’épaisseur H. Les résistances série et shunt en fonction de la température et du champ magnétique et de l’épaisseur H sont déterminées à partir de la caractéristique I-V.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2734

DETERMINATION DE L’EPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE (DOPEE P) D’UNE PHOTOPILE N+-P-P+ AU SILICIUM SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE DE LA FACE ARRIERE (P+), SOUS L’EFFET DE LA TEMPERATURE ET DU CHAMP MAGNETIQUE EXTERIEUR, PAR LE CONCEPT DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON EN FACE ARRIERE : EFFET SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES (RS, RSH, CZ) [texte imprimé] / Maimouna Mint Ely, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2020 . - 94 P. ; 29 cm.
thèse provisoire
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Photopile bifaciale  Température  Champ magnétique  Résistance série  Résistance shunt  Energie solaire  SILICIUM  ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE  VITESSE DE RECOMBINAISON
Résumé :	Au cours de notre étude bibliographique, une brève histoire de la photopile bifaciale a été réalisée en présentant les premières structures de cellules solaires bifaciales proposées. Les effets de la température, du champ magnétique et des paramètres électriques d’une photopile bifaciale au silicium en régime statique ont été présentée aussi. L’étude théorique menée sur une photopile bifaciale au silicium a permis de déterminer les expressions du coefficient de diffusion, de la densité des porteurs minoritaires, de la densité de photocourant, de la phototension et de la capacité en fonction de la température et du champ magnétique et aussi de l’épaisseur H. Les résistances série et shunt en fonction de la température et du champ magnétique et de l’épaisseur H sont déterminées à partir de la caractéristique I-V.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2734