Etude par microscopie Electronique à balayage et spectroscopie de diffusion Raman de matériaux semiconducteurs poreux obtenus par oxydation anodique / Sossé NDIAYE (2000)

Public ISBD Titre : Etude par microscopie Electronique à balayage et spectroscopie de diffusion Raman de matériaux semiconducteurs poreux obtenus par oxydation anodique Type de document : texte imprimé Auteurs : Sossé NDIAYE, Auteur Editeur : [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : 2000 Importance : 82 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : MICROSCOPIE ELECTRONIQUE  MICROSCOPIE A BALAYAGE  SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION  RAMAN  SEMI-CONDUCTEUR  OXIDATION ANODIQUE  Silicium  Silicium poreux  Phosphure de gallium  Matériau poreux  Semi conducteur Résumé : La caractérisation structurale d'échantillons de matériaux poreux (Si et de GaP) obtenus par oxydation anodique, est effectuée par microscopie électronique et spectroscopie de diffusion Raman. un mécanisme réactionnel est proposé pour l'oxydation anodique. un calcul basé sur les effets quantiques conduit à des résultats conformes au comportement optique du Si poreux. Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2413 Etude par microscopie Electronique à balayage et spectroscopie de diffusion Raman de matériaux semiconducteurs poreux obtenus par oxydation anodique [texte imprimé] / Sossé NDIAYE, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2000 . - 82 P. ; 29 cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : MICROSCOPIE ELECTRONIQUE  MICROSCOPIE A BALAYAGE  SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION  RAMAN  SEMI-CONDUCTEUR  OXIDATION ANODIQUE  Silicium  Silicium poreux  Phosphure de gallium  Matériau poreux  Semi conducteur Résumé : La caractérisation structurale d'échantillons de matériaux poreux (Si et de GaP) obtenus par oxydation anodique, est effectuée par microscopie électronique et spectroscopie de diffusion Raman. un mécanisme réactionnel est proposé pour l'oxydation anodique. un calcul basé sur les effets quantiques conduit à des résultats conformes au comportement optique du Si poreux. Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2413

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
TH 674	TH 674	Thèse de doctorat 3ème cycle	Thèses physique	Physique de la matière condensée	Disponible
TH 675	TH 675	Thèse de doctorat 3ème cycle	Thèses physique	Physique de la matière condensée	Disponible
TH 676	TH 676	Thèse de doctorat 3ème cycle	Thèses physique	Physique de la matière condensée	Disponible

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