Titre :	ETUDE EN REGIME TRANSITOIRE SOUS CHAMP MAGNETIQUE ET TEMPERATURE D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM CRISTALLIN A JONCTION VERTICALE PARALLELE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Pape DIOP, Auteur
Editeur :	Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur
Année de publication :	2024
Importance :	non paginé
Format :	29 cm
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Jonction Verticale  Température  Champ magnétique  Base optimale  Temps de décroissance  Décroissance transitoire  Régime transitoire  Photopile  Energie solaire  Photopile au silicium  cristallin  Jonction verticale  Eclairement polychromatique
Résumé :	Dans ce travail, nous étudions la photopile au silicium (n/p) à jonctions verticales connectées en parallèle, placée sous la double condition de température et de champ magnétique, et en régime transitoire. Ce régime s’obtient par Variation du point fonctionnement sur la caractéristique I-V statique entre deux points proches du circuit ouvert de la photopile sous éclairement. Le travail est structuré comme suit : Dans le premier chapitre, nous ferons une étude bibliographique qui portera essentiellement sur la structure et l’avantage des photopiles à jonction verticale et sur les techniques de caractérisations. Dans le deuxième chapitre, la configuration expérimentale de la décroissance transitoire qui se produit entre deux points de fonctionnement en régime permanent est rappelée. La densité transitoire de porteurs minoritaires en excès apparaît comme la somme de termes infinis est aussi traitée. Nous examinons les effets de conditions extérieures par variation de la température, du champ magnétique et de l’épaisseur optimale sur les porteurs minoritaires en excès et sur le temps (to) initiant leur décroissance exponentielle, qui délimite les conditions de mesure expérimentale de la constante de temps. Le troisième chapitre traite également les paramètres électriques en utilisant les résultats de l’épaisseur optimale de la base (Hopt) pour différents champs magnétiques (B) et valeurs de la température optimale (Topt), frontière entre les phénomènes normales et le processus Umklapp. Et enfin de cette étude, nous présentons une conclu
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ETUDE EN REGIME TRANSITOIRE SOUS CHAMP MAGNETIQUE ET TEMPERATURE D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM CRISTALLIN A JONCTION VERTICALE PARALLELE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE [texte imprimé] / Pape DIOP, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2024 . - non paginé ; 29 cm.
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Jonction Verticale  Température  Champ magnétique  Base optimale  Temps de décroissance  Décroissance transitoire  Régime transitoire  Photopile  Energie solaire  Photopile au silicium  cristallin  Jonction verticale  Eclairement polychromatique
Résumé :	Dans ce travail, nous étudions la photopile au silicium (n/p) à jonctions verticales connectées en parallèle, placée sous la double condition de température et de champ magnétique, et en régime transitoire. Ce régime s’obtient par Variation du point fonctionnement sur la caractéristique I-V statique entre deux points proches du circuit ouvert de la photopile sous éclairement. Le travail est structuré comme suit : Dans le premier chapitre, nous ferons une étude bibliographique qui portera essentiellement sur la structure et l’avantage des photopiles à jonction verticale et sur les techniques de caractérisations. Dans le deuxième chapitre, la configuration expérimentale de la décroissance transitoire qui se produit entre deux points de fonctionnement en régime permanent est rappelée. La densité transitoire de porteurs minoritaires en excès apparaît comme la somme de termes infinis est aussi traitée. Nous examinons les effets de conditions extérieures par variation de la température, du champ magnétique et de l’épaisseur optimale sur les porteurs minoritaires en excès et sur le temps (to) initiant leur décroissance exponentielle, qui délimite les conditions de mesure expérimentale de la constante de temps. Le troisième chapitre traite également les paramètres électriques en utilisant les résultats de l’épaisseur optimale de la base (Hopt) pour différents champs magnétiques (B) et valeurs de la température optimale (Topt), frontière entre les phénomènes normales et le processus Umklapp. Et enfin de cette étude, nous présentons une conclu
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