Titre :	Spectroscopie de GaAs et influence des recuits thermiques sur les propriétés optoélectroniques de puits quantiques Ga1 - xI nx As / GaAs
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Bassirou LO, Auteur
Editeur :	[Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique
Année de publication :	1998
Importance :	107 P.
Format :	29 cm
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Semiconducteur  Hétérostructure  Impureté  Implantation  Alliage  Recuit thermique  Activation électrique  Conductivité  Excitation  Photoluminescence  Epitaxie pseudomorphique  Relaxation  Spectroscopie de GaAs  Spectroscopie  GaAs  Optoélectronique  Puit quantique  Ga1-xlnxAs  Ga1-xlnxAs/GaAs
Résumé :	Un aperçu des propriétés structurales et électroniques de bandes des alliages semiconducteurs III-V à base de Ga1-xinxAs ainsi que des méthodes de croissance (cristaux massifs et couches minces épitaxiales) est présenté afin de discuter des conséquences de l'adaptation de maille. L'analyse des mécanismes de recombinaison et des transitions optiques est appliquée à la spectroscopie de photoluminescence de GaAs. Les propriétés d'émission de GaAs implanté aux ions Hg+, et la formation d'accepteur complexe mettant en jeu l'accepteur Hg sont étudiées La spectroscopie d'excitation de l'accepteur Hg et des em1ssions satellites (répliques phononiques Raman, Raman électronique sur les impuretés, des excitons liés aux impuretés, des raies de recombinaison donneur - accepteur) est mis à profit pour dresser le spectre des états excités du mercure. Les propriétés optoélectroniques des puits quantiques Ga1-xinxAs/ GaAs hétéroépitaxiées et l'origine de leur dégradation rapide probablement provoquée par un accroissement de la température locale lors du fonctionnement des lasers sont examinées grâce à l'étude de· l'influence des recuits thermiques sur leurs spectres d'émission. Enfin, les mécanismes de relaxation sont discutés en relation avec les conditions de recuit thermique des structures pseudomorphiques et de leur épaisseur critique.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2078

Spectroscopie de GaAs et influence des recuits thermiques sur les propriétés optoélectroniques de puits quantiques Ga1 - xI nx As / GaAs [texte imprimé] / Bassirou LO, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 1998 . - 107 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Semiconducteur  Hétérostructure  Impureté  Implantation  Alliage  Recuit thermique  Activation électrique  Conductivité  Excitation  Photoluminescence  Epitaxie pseudomorphique  Relaxation  Spectroscopie de GaAs  Spectroscopie  GaAs  Optoélectronique  Puit quantique  Ga1-xlnxAs  Ga1-xlnxAs/GaAs
Résumé :	Un aperçu des propriétés structurales et électroniques de bandes des alliages semiconducteurs III-V à base de Ga1-xinxAs ainsi que des méthodes de croissance (cristaux massifs et couches minces épitaxiales) est présenté afin de discuter des conséquences de l'adaptation de maille. L'analyse des mécanismes de recombinaison et des transitions optiques est appliquée à la spectroscopie de photoluminescence de GaAs. Les propriétés d'émission de GaAs implanté aux ions Hg+, et la formation d'accepteur complexe mettant en jeu l'accepteur Hg sont étudiées La spectroscopie d'excitation de l'accepteur Hg et des em1ssions satellites (répliques phononiques Raman, Raman électronique sur les impuretés, des excitons liés aux impuretés, des raies de recombinaison donneur - accepteur) est mis à profit pour dresser le spectre des états excités du mercure. Les propriétés optoélectroniques des puits quantiques Ga1-xinxAs/ GaAs hétéroépitaxiées et l'origine de leur dégradation rapide probablement provoquée par un accroissement de la température locale lors du fonctionnement des lasers sont examinées grâce à l'étude de· l'influence des recuits thermiques sur leurs spectres d'émission. Enfin, les mécanismes de relaxation sont discutés en relation avec les conditions de recuit thermique des structures pseudomorphiques et de leur épaisseur critique.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2078