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Affiner la rechercheCaractérisation d'une photopile bifaciale au silicium monocristallin sous éclairement monochromatique / Lemrabott OULD HABIBOULAHY (2002)
Titre : Caractérisation d'une photopile bifaciale au silicium monocristallin sous éclairement monochromatique Type de document : texte imprimé Auteurs : Lemrabott OULD HABIBOULAHY, Auteur Editeur : [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : 2002 Importance : 87 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Photopile bifaciale Silicium monocristallin Longueur de diffusion vitesse de recombinaison Densité relative Porteur minoritaire Longueur d'onde Densité Courant de court circuit Courant réduit Energie solaire Eclairement monochromatique Court circuit Courant court circuit Résumé : Une étude bibliographique des techniques de caractérisation d'une photopile en régime
statique est présentée. La photopile sous éclairement constant est étudiée. Les deux faces de la
photopile bifaciale sont éclairées l’une après l’autre et l’influence de la longueur d’onde ainsi que des phénomènes de recombinaison en volume et en surface sur les profils des densités
des porteurs de charge est évaluée. Les conséquences sur les paramètres macroscopiques
électriques tels le photocourant, la phototension, la puissance sont analysées.
Des nouvelles expressions de la vitesse de recombinaison des porteurs de charge en
face arrière ont été établies.
Une étude expérimentale est présentée et conduit à la détermination de la longueur de
diffusion effective par la technique de l'intersection des courbes de rapports théorique et
expérimental de densités de courant de court-circuit.
A partir de cette longueur de diffusion effectives les vitesses de recombinaison en face
arrière sont déterminées.
Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=2869 Caractérisation d'une photopile bifaciale au silicium monocristallin sous éclairement monochromatique [texte imprimé] / Lemrabott OULD HABIBOULAHY, Auteur . - [Dakar] : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2002 . - 87 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Photopile bifaciale Silicium monocristallin Longueur de diffusion vitesse de recombinaison Densité relative Porteur minoritaire Longueur d'onde Densité Courant de court circuit Courant réduit Energie solaire Eclairement monochromatique Court circuit Courant court circuit Résumé : Une étude bibliographique des techniques de caractérisation d'une photopile en régime
statique est présentée. La photopile sous éclairement constant est étudiée. Les deux faces de la
photopile bifaciale sont éclairées l’une après l’autre et l’influence de la longueur d’onde ainsi que des phénomènes de recombinaison en volume et en surface sur les profils des densités
des porteurs de charge est évaluée. Les conséquences sur les paramètres macroscopiques
électriques tels le photocourant, la phototension, la puissance sont analysées.
Des nouvelles expressions de la vitesse de recombinaison des porteurs de charge en
face arrière ont été établies.
Une étude expérimentale est présentée et conduit à la détermination de la longueur de
diffusion effective par la technique de l'intersection des courbes de rapports théorique et
expérimental de densités de courant de court-circuit.
A partir de cette longueur de diffusion effectives les vitesses de recombinaison en face
arrière sont déterminées.
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 785 TH 785 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible TH 786 TH 786 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible TH 787 TH 787 Thèse de doctorat 3ème cycle Thèses physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible
Titre : Détermination des paramètres de recombinaison d'une photopile bifaciale au Silicium sous éclairement monochromatique Type de document : texte imprimé Auteurs : Lemrabott OULD HABIBOULAHY, Auteur Editeur : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de Mathématiques-Informatique Année de publication : 1998 Importance : 21 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Recombinaison Pphotopile bifaciale Silicium Eclairement monochromatique Energie solaire Résumé : Une étude pour la caractérisation d'une photopile hifaciale au silicium, par
la détermination des paramètres de recombinaison est présenté :
~ Nous avons tout d'abord réalisé une étude bibliographique mettant en relief a
! les paramètres de recombinaisons (L et SB). pour dijférants régimes. ~
~ Une étude théorique de la densité des porteurs de charge, du plwtocourant et
~ la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison est produite.
z Une nouvelle méthode de détermination des paramètres de recombinaison
~ en volume et en surface est proposé a partir de la mesure du courant de court
circuit et la tension en circuit ouvert de la photopile dont les faces est éclairée
;l'uueaprès!:.l!"t'.·ePermalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1999 Détermination des paramètres de recombinaison d'une photopile bifaciale au Silicium sous éclairement monochromatique [texte imprimé] / Lemrabott OULD HABIBOULAHY, Auteur . - Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de Mathématiques-Informatique, 1998 . - 21 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Recombinaison Pphotopile bifaciale Silicium Eclairement monochromatique Energie solaire Résumé : Une étude pour la caractérisation d'une photopile hifaciale au silicium, par
la détermination des paramètres de recombinaison est présenté :
~ Nous avons tout d'abord réalisé une étude bibliographique mettant en relief a
! les paramètres de recombinaisons (L et SB). pour dijférants régimes. ~
~ Une étude théorique de la densité des porteurs de charge, du plwtocourant et
~ la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison est produite.
z Une nouvelle méthode de détermination des paramètres de recombinaison
~ en volume et en surface est proposé a partir de la mesure du courant de court
circuit et la tension en circuit ouvert de la photopile dont les faces est éclairée
;l'uueaprès!:.l!"t'.·ePermalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1999 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MEM 1158 MEM 1158 Mémoire de DEA Master physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible MEM 1159 MEM 1159 Mémoire de DEA Master physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible MEM 1160 MEM 1160 Mémoire de DEA Master physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible
