| Titre : |
Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Mountaga Boiro, Auteur |
| Editeur : |
Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique |
| Année de publication : |
2019 |
| Importance : |
37 P. |
| Format : |
29 cm |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagramme de Bode et Nyquist Taux de dopage |
| Résumé : |
La base de la photopile au silicium à jonction verticale série de dopage Nb, est sous illumination monochromatique en modulation de fréquence. L’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est résolue, munie des conditions aux limites d’espace, prenant en compte les vitesses de recombinaison surfaciques à la jonction et en face arrière. L’équation de diffusion est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D (Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite, en tenant compte de la loi de Boltzmann. Pour les grandes longueurs d’onde, sa réponse capacitive à travers son amplitude et de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de dopage de la base. |
| Permalink : |
https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=160 |
Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence [texte imprimé] / Mountaga Boiro, Auteur . - Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2019 . - 37 P. ; 29 cm. Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagramme de Bode et Nyquist Taux de dopage |
| Résumé : |
La base de la photopile au silicium à jonction verticale série de dopage Nb, est sous illumination monochromatique en modulation de fréquence. L’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est résolue, munie des conditions aux limites d’espace, prenant en compte les vitesses de recombinaison surfaciques à la jonction et en face arrière. L’équation de diffusion est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D (Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite, en tenant compte de la loi de Boltzmann. Pour les grandes longueurs d’onde, sa réponse capacitive à travers son amplitude et de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de dopage de la base. |
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Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence (2019)
