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Affiner la rechercheEffet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence / Mountaga Boiro (2019)
Titre : Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence Type de document : texte imprimé Auteurs : Mountaga Boiro, Auteur Editeur : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique Année de publication : 2019 Importance : 37 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagramme de Bode et Nyquist Taux de dopage Résumé : La base de la photopile au silicium à jonction verticale série de dopage Nb, est sous illumination monochromatique en modulation de fréquence. L’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est résolue, munie des conditions aux limites d’espace, prenant en compte les vitesses de recombinaison surfaciques à la jonction et en face arrière. L’équation de diffusion est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D (Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite, en tenant compte de la loi de Boltzmann. Pour les grandes longueurs d’onde, sa réponse capacitive à travers son amplitude et de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de dopage de la base.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=160 Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence [texte imprimé] / Mountaga Boiro, Auteur . - Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Faculté des Sciences et Techniques : Département de physique, 2019 . - 37 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : photopile Silicium JVS longueur d’onde capacité de diffusion diagramme de Bode et Nyquist Taux de dopage Résumé : La base de la photopile au silicium à jonction verticale série de dopage Nb, est sous illumination monochromatique en modulation de fréquence. L’équation de diffusion relative à la densité des porteurs photogénérés est résolue, munie des conditions aux limites d’espace, prenant en compte les vitesses de recombinaison surfaciques à la jonction et en face arrière. L’équation de diffusion est constituée de termes tels que:
-le coefficient de diffusion D (Nb) et de recombinaison, fonction de la fréquence de modulation de l’excitation lumineuse et du taux de dopage Nb
-le taux de génération G()
De la densité des porteurs minoritaires (x, t) solution de l’équation de diffusion, obtenue d’une base de taux de dopage Nb, la capacité de diffusion C(, (), Sf, Sb, Nb) est déduite, en tenant compte de la loi de Boltzmann. Pour les grandes longueurs d’onde, sa réponse capacitive à travers son amplitude et de sa phase, est étudiée lorsqu’elle est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de circuit ouvert, à travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de dopage de la base.Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=160 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité mem 10112 mem 10112 Cartes et plans Master physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible Documents numériques
Mountaga_BoiRo_M2_M2_Ph.pdfAdobe Acrobat PDF
Titre : INFLUENCE DU CHAMP MAGNETIQUE SUR LA CAPACITE DE DIFFUSION, LES RESISTANCES SERIE ET SHUNT D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTION VERTICALE SERIE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE Type de document : texte imprimé Auteurs : Mountaga Boiro, Auteur Editeur : Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur Année de publication : 2022 Importance : 103 P. Format : 29 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Photopile jonction verticale série champ magnétique fréquence de modulation longueur d’onde vitesse de recombinaison capacité de diffusion diffusion résistance série résistance shunt silicium eclairement monochromatique énergie solaire Résumé : Une étude bibliographique sur les photopiles, d’une part à jonction verticale série et d’autre part à jonction verticale parallèle sous éclairement ploy(mono)chromatique ainsi que des techniques de caractérisation qui permettent de déterminer les paramètres phénoménologiques et électriques tels que la capacité de diffusion, les diagrammes de BODE et de NYQUIST, les résistances série et shunt, en régimes statique et dynamique fréquentiel, a été réalisée.
Un modèle à une dimension (1D) d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique et sous champ magnétique (Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1023 INFLUENCE DU CHAMP MAGNETIQUE SUR LA CAPACITE DE DIFFUSION, LES RESISTANCES SERIE ET SHUNT D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTION VERTICALE SERIE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE [texte imprimé] / Mountaga Boiro, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2022 . - 103 P. ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Photopile jonction verticale série champ magnétique fréquence de modulation longueur d’onde vitesse de recombinaison capacité de diffusion diffusion résistance série résistance shunt silicium eclairement monochromatique énergie solaire Résumé : Une étude bibliographique sur les photopiles, d’une part à jonction verticale série et d’autre part à jonction verticale parallèle sous éclairement ploy(mono)chromatique ainsi que des techniques de caractérisation qui permettent de déterminer les paramètres phénoménologiques et électriques tels que la capacité de diffusion, les diagrammes de BODE et de NYQUIST, les résistances série et shunt, en régimes statique et dynamique fréquentiel, a été réalisée.
Un modèle à une dimension (1D) d’une photopile au silicium à jonction verticale série sous éclairement monochromatique et sous champ magnétique (Permalink : https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1023 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TH 2514 TH 2514 Thèse de doctorat d'Etat Thèses physique Energie Solaire, Matériaux et Systèmes Disponible Documents numériques
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