Titre :	Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile(n+/p/p+) au silicium à Jonctions verticales connectées en série sous éclairement monochromatique (
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Malick Ndiaye, Auteur
Editeur :	Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur
Année de publication :	2023
Importance :	161 P.
Format :	29 cm
Note générale :	Thèse provisoire
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Photopile au Silicium  Photopile  Silicium  Modulation de frequence  Taux de dopage  Coefficient d’absorption  Vitesse de recombinaison  Epaisseur optimum  éclairement monochromatique  photopile bifaciale  électricité  Energie Solaire  énergie renouvelable
Résumé :	Différentes types de photopiles au silicium sont présentées (mono, bifaciale, multi-jonctions verticales (série et parallèle). L’éclairement mono ou polychromatique est utilisé en régime statique ou dynamique (transitoire ou fréquentiel). Les conditions intrinsèques (taux de dopage et géométrie) ou extérieures (champ magnétique, champ électrique, irradiation par des particules chargées) peuvent affectées le rendement de la photopile. Dans les conditions, d’éclairement monochromatique en modulation de frequence de la photopile au silicium, l’équation relative à la densité des porteurs de charge est présentée munie des conditions aux limites, représentant les vitesses de recombinaison à la jonction (Sf) et en face arrière (Sb). La densité de photocourant est obtenue en fonction de la vitesse de recombinaison, du coefficient d’absorption au silicium, de la frequence de modulation, du taux de dopage, de l’épaisseur de la base. Les expressions de la vitesse de recombinaison en face arrière (Sb), sont déduites et étudiées en fonction de l’épaisseur H, selon le taux de dopage et pour trois zones de frequences de modulation. L’épaisseur optimum Hopt est déduite des courbes obtenues, et modélisé en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation. La phototension Vp(Sf) est obtenue par l’expression de Boltzmann. En prenant en compte Hopt, la caractéristique densité de courant-phototension (Jph(Sf)-Vph(Sf), sous obscurité et sous éclairement, sont produites en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation, ayant conduit à (Hopt). Les courbes de calibration de la capacité de diffusion sont étudiées en fonction de (Sf), pour chaque épaisseur H et en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation. Le diagramme de Bode(amplitude et phase) et de Nyquist sont étudiés en fonction du taux de dopage.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1451

Effet du taux de dopage de la base dans l’étude de la capacité de diffusion d’une photopile(n+/p/p+) au silicium à Jonctions verticales connectées en série sous éclairement monochromatique ( [texte imprimé] / Malick Ndiaye, Auteur . - Dakar : Université Cheikh Anta Diop de Dakar : Ecole Doctorale Physique, Chimie, Sciences de la Terre, de l'Univers et de l'Ingénieur, 2023 . - 161 P. ; 29 cm.
Thèse provisoire
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Photopile au Silicium  Photopile  Silicium  Modulation de frequence  Taux de dopage  Coefficient d’absorption  Vitesse de recombinaison  Epaisseur optimum  éclairement monochromatique  photopile bifaciale  électricité  Energie Solaire  énergie renouvelable
Résumé :	Différentes types de photopiles au silicium sont présentées (mono, bifaciale, multi-jonctions verticales (série et parallèle). L’éclairement mono ou polychromatique est utilisé en régime statique ou dynamique (transitoire ou fréquentiel). Les conditions intrinsèques (taux de dopage et géométrie) ou extérieures (champ magnétique, champ électrique, irradiation par des particules chargées) peuvent affectées le rendement de la photopile. Dans les conditions, d’éclairement monochromatique en modulation de frequence de la photopile au silicium, l’équation relative à la densité des porteurs de charge est présentée munie des conditions aux limites, représentant les vitesses de recombinaison à la jonction (Sf) et en face arrière (Sb). La densité de photocourant est obtenue en fonction de la vitesse de recombinaison, du coefficient d’absorption au silicium, de la frequence de modulation, du taux de dopage, de l’épaisseur de la base. Les expressions de la vitesse de recombinaison en face arrière (Sb), sont déduites et étudiées en fonction de l’épaisseur H, selon le taux de dopage et pour trois zones de frequences de modulation. L’épaisseur optimum Hopt est déduite des courbes obtenues, et modélisé en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation. La phototension Vp(Sf) est obtenue par l’expression de Boltzmann. En prenant en compte Hopt, la caractéristique densité de courant-phototension (Jph(Sf)-Vph(Sf), sous obscurité et sous éclairement, sont produites en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation, ayant conduit à (Hopt). Les courbes de calibration de la capacité de diffusion sont étudiées en fonction de (Sf), pour chaque épaisseur H et en fonction du taux de dopage, pour chaque zone de frequence de modulation. Le diagramme de Bode(amplitude et phase) et de Nyquist sont étudiés en fonction du taux de dopage.
Permalink :	https://bibliothequefst.ucad.sn/index.php?lvl=notice_display&id=1451